Patent detail

Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev

MACH, J. ŠIKOLA, T.

Patent type

Patent

Abstract

Ion-atomový zdroj s optimalizovanou tvorbou iontů pro depozici s asistencí iontů (IBAD) v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Vynález je kombinací efusní cely a elektron srážkového iontového zdroje poskytující iontové svazky o ultranízkých energiích v rozmezí od 30 eV až 200 eV. Snížení energie iontového svazku na hypertermní hodnoty (cca 10 eV) je realizováno bez ztráty optimálních ionizační podmínek. Toto je dosaženo především začleněním ionizační komory s mřížkou, která je dostatečně transparentní pro elektrony a ionty. Zdrojem jsou připravovány ultratenké vrstevy a nanostruktury s asistencí iontů o ultranízkých energiích s rychlostí růstu několika monovrstev za hodinu.

Keywords

Iontově atomární zdroj

Patent number

303867

Date of application

5. 5. 2009

Date of registration

24. 4. 2013

Publisher

Úřad průmyslového vlastnictví (patentový úřad České republiky)

Owner

Vut Brno

Possibilities of use

In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license

Licence fee

The licensor does not require a license fee for the result