Detail patentu

Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev

MACH, J. ŠIKOLA, T.

Typ patentu

patent

Abstrakt

Ion-atomový zdroj s optimalizovanou tvorbou iontů pro depozici s asistencí iontů (IBAD) v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Vynález je kombinací efusní cely a elektron srážkového iontového zdroje poskytující iontové svazky o ultranízkých energiích v rozmezí od 30 eV až 200 eV. Snížení energie iontového svazku na hypertermní hodnoty (cca 10 eV) je realizováno bez ztráty optimálních ionizační podmínek. Toto je dosaženo především začleněním ionizační komory s mřížkou, která je dostatečně transparentní pro elektrony a ionty. Zdrojem jsou připravovány ultratenké vrstevy a nanostruktury s asistencí iontů o ultranízkých energiích s rychlostí růstu několika monovrstev za hodinu.

Klíčová slova

Iontově atomární zdroj

Číslo patentu

303867

Datum přihlášky

5. 5. 2009

Datum zápisu

24. 4. 2013

Vydavatel

Úřad průmyslového vlastnictví (patentový úřad České republiky)

Vlastník

Vut Brno

Možnosti využití

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek