Publication detail

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

DALLAEVA, D. RAMAZANOV, S. PROKOPYEVA, E. BRÜSTLOVÁ, J. TOMÁNEK, P.

Original Title

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

English Title

Local topography of opto-electronic substrates prepared by plasma etching

Type

journal article - other

Language

Czech

Original Abstract

Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.

English abstract

The study performs comparison of the etch rates Al2O3 and SiC. These materials have a wide range of optoelectronic applications. Cleaning of the substrate and consequent preparation of the heterostructure could be combine in one process circle using this technology. Variation of the etching parameters allows to find the conditions of substrate processing which will satisfy performance requirements.

Keywords

leptání safír, karbid křemíku, substrát, mikroskopie atomárních sil

Key words in English

etching, sapphire, silicon carbide, substrate, atomic force microscopy

Authors

DALLAEVA, D.; RAMAZANOV, S.; PROKOPYEVA, E.; BRÜSTLOVÁ, J.; TOMÁNEK, P.

RIV year

2014

Released

3. 12. 2014

Publisher

FZU AV ČR

Location

Přerov

ISBN

0447-6441

Periodical

Jemná mechanika a optika

Year of study

59

Number

11-12

State

Czech Republic

Pages from

299

Pages to

302

Pages count

4

BibTex

@article{BUT111080,
  author="Dinara {Sobola} and Shihgasan {Ramazanov} and Elena {Prokopyeva} and Jitka {Brüstlová} and Pavel {Tománek}",
  title="Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání",
  journal="Jemná mechanika a optika",
  year="2014",
  volume="59",
  number="11-12",
  pages="299--302",
  issn="0447-6441"
}