Detail publikace

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

DALLAEVA, D. RAMAZANOV, S. PROKOPYEVA, E. BRÜSTLOVÁ, J. TOMÁNEK, P.

Originální název

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

Anglický název

Local topography of opto-electronic substrates prepared by plasma etching

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.

Anglický abstrakt

The study performs comparison of the etch rates Al2O3 and SiC. These materials have a wide range of optoelectronic applications. Cleaning of the substrate and consequent preparation of the heterostructure could be combine in one process circle using this technology. Variation of the etching parameters allows to find the conditions of substrate processing which will satisfy performance requirements.

Klíčová slova

leptání safír, karbid křemíku, substrát, mikroskopie atomárních sil

Klíčová slova v angličtině

etching, sapphire, silicon carbide, substrate, atomic force microscopy

Autoři

DALLAEVA, D.; RAMAZANOV, S.; PROKOPYEVA, E.; BRÜSTLOVÁ, J.; TOMÁNEK, P.

Rok RIV

2014

Vydáno

3. 12. 2014

Nakladatel

FZU AV ČR

Místo

Přerov

ISSN

0447-6441

Periodikum

Jemná mechanika a optika

Ročník

59

Číslo

11-12

Stát

Česká republika

Strany od

299

Strany do

302

Strany počet

4

BibTex

@article{BUT111080,
  author="Dinara {Sobola} and Shihgasan {Ramazanov} and Elena {Prokopyeva} and Jitka {Brüstlová} and Pavel {Tománek}",
  title="Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání",
  journal="Jemná mechanika a optika",
  year="2014",
  volume="59",
  number="11-12",
  pages="299--302",
  issn="0447-6441"
}