Publication detail

Propojení strukturního a elektrického simulátoru

RECMAN, M.

Original Title

Propojení strukturního a elektrického simulátoru

English Title

Device and electrical simulators linking

Type

conference paper

Language

Czech

Original Abstract

Extrakce parametrů elektrického modelu polovodičového prvku z elektrikých charakteristik generovaných strukturním simulátorem přináší snížení nákladů a zrychlení vývoje integrovaných obvodů. Charakteristiky generované strukturním simulátorem nahrazují měření na drahých a časově náročných reálných vzorcích. Předpokladem tohoto postupu je datově propojit strukturní a elektrický simulátor. Příspěvek popisuje propojení strukturního simulátoru DESSIS a elektrického simulátoru HSPICE, které můžeme považovat za průmyslové standardy pro jednotlivé aplikační oblasti. Propojení umožňuje extrahovat parametry HSPICE modelů z charakteristik simulovaných DESSISem. Jsou popsány jednotlivé programové prostředky systému propojení včetně příslušných formátů dat.

English abstract

Electrical model parameters extraction based on device simulated electrical characteristics brings cost savigs and accelerates time to market. The experiment using device simulator to generate electrical characteristics and electical simulator to extract diode model parameters is described.

Key words in English

device simulation, circuit simulation, model parameter extraction

Authors

RECMAN, M.

RIV year

2004

Released

1. 1. 2004

ISBN

80-214-2818-X

Book

18th International Microworkshop 2004. Sborník. 9. až 11.6.2004 Rožnov

Pages from

167

Pages to

173

Pages count

7

BibTex

@inproceedings{BUT13137,
  author="Milan {Recman}",
  title="Propojení strukturního a elektrického simulátoru",
  booktitle="18th International Microworkshop 2004. Sborník. 9. až 11.6.2004 Rožnov",
  year="2004",
  pages="7",
  isbn="80-214-2818-X"
}