Detail publikace

Propojení strukturního a elektrického simulátoru

RECMAN, M.

Originální název

Propojení strukturního a elektrického simulátoru

Anglický název

Device and electrical simulators linking

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Extrakce parametrů elektrického modelu polovodičového prvku z elektrikých charakteristik generovaných strukturním simulátorem přináší snížení nákladů a zrychlení vývoje integrovaných obvodů. Charakteristiky generované strukturním simulátorem nahrazují měření na drahých a časově náročných reálných vzorcích. Předpokladem tohoto postupu je datově propojit strukturní a elektrický simulátor. Příspěvek popisuje propojení strukturního simulátoru DESSIS a elektrického simulátoru HSPICE, které můžeme považovat za průmyslové standardy pro jednotlivé aplikační oblasti. Propojení umožňuje extrahovat parametry HSPICE modelů z charakteristik simulovaných DESSISem. Jsou popsány jednotlivé programové prostředky systému propojení včetně příslušných formátů dat.

Anglický abstrakt

Electrical model parameters extraction based on device simulated electrical characteristics brings cost savigs and accelerates time to market. The experiment using device simulator to generate electrical characteristics and electical simulator to extract diode model parameters is described.

Klíčová slova v angličtině

device simulation, circuit simulation, model parameter extraction

Autoři

RECMAN, M.

Rok RIV

2004

Vydáno

1. 1. 2004

ISBN

80-214-2818-X

Kniha

18th International Microworkshop 2004. Sborník. 9. až 11.6.2004 Rožnov

Strany od

167

Strany do

173

Strany počet

7

BibTex

@inproceedings{BUT13137,
  author="Milan {Recman}",
  title="Propojení strukturního a elektrického simulátoru",
  booktitle="18th International Microworkshop 2004. Sborník. 9. až 11.6.2004 Rožnov",
  year="2004",
  pages="7",
  isbn="80-214-2818-X"
}