Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Patent detail
KHATEB, F. VLASSIS, S. KULEJ, T. SOULIOTIS, G.
Patent type
Patent
Abstract
Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je přivedeno na elektrodu source prvního tranzistoru. První vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk druhého tranzistoru, druhé vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk prvního tranzistoru. Výstupní napětí je vyvedeno z elektrody source druhého tranzistoru. Hradlo gate a elektroda drain druhého tranzistoru jsou uzemněné. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru. Hradlo gate prvního tranzistoru je vyvedeno na řídicí napětí, které zajišťuje, že úroveň stejnosměrného napětí na výstupu atenuátoru je na polovině napájecího napětí. Tím se zvyšuje rozsah vstupního napětí následujícího obvodu, který je připojen k výstupu atenuátoru, tj. na svorku výstupního napětí.
Keywords
Bulk-driven MOS.
Patent number
307308
Date of application
29. 3. 2017
Date of registration
11. 4. 2018
Date of expiry
29. 3. 2037
Owner
VUT v Brně.
Possibilities of use
In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license
Licence fee
The licensor requires a license fee for the result
www
http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf