patent

Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je přivedeno na elektrodu source prvního tranzistoru. První vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk druhého tranzistoru, druhé vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk prvního tranzistoru. Výstupní napětí je vyvedeno z elektrody source druhého tranzistoru. Hradlo gate a elektroda drain druhého tranzistoru jsou uzemněné. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru. Hradlo gate prvního tranzistoru je vyvedeno na řídicí napětí, které zajišťuje, že úroveň stejnosměrného napětí na výstupu atenuátoru je na polovině napájecího napětí. Tím se zvyšuje rozsah vstupního napětí následujícího obvodu, který je připojen k výstupu atenuátoru, tj. na svorku výstupního napětí.

Bulk-driven MOS.

307308

29. 3. 2017

11. 4. 2018

29. 3. 2037

VUT v Brně.

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf