Product detail

Epitaxní vrstva GaN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD

ŠIK, O. VOBORNÝ, S. MÜNZ, F. HUBÁLEK, J.

Product type

funkční vzorek

Abstract

SEM, XRD, XPS, fotoluminiscenční analýza a elipsometrie epitaxní vrstvy GaN rostlé na safírovém substrátu metodou MOCVD.

Keywords

GaN, epitaxy, SEM, XRD, XPS, Photoluminiscence, Ellipsometry, MOCVD

Create date

30. 12. 2018

Location

CEITEC, Research group RG102

Possibilities of use

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licence fee

Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

www

http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=141