Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Publication detail
RECMAN, M.
Original Title
Počítačová simulace přímého tunelování hradlovými oxidy
English Title
Computer simulation of direct tunneling through gate oxides
Type
conference paper
Language
Czech
Original Abstract
Se zmenšující se délkou kanálu tranzistorů NMOS se zmenšuje tloušťka hradlového oxidu a dominantní složkou proudu hradlem se stává přímé tunelování nosičů z kanálu a SDE(source-drain extensions) do polykrystalického hradla. Příspěvek se zabývá TCAD simulací tohoto tunelového proudu v NMOSFET strukturách s tloušťkou oxidu menší než 20 A. S použitím programů DIOS a MDRAW je vytvořena dvoudimenzionální struktura tranzistoru NMOS. DESSIS počítá složku hradlového proudu odpovídající přímému tunelování přes hradlový oxid a program INSPECT generuje a srovnává simulované A-V charakteristiky pro 7 jednotlivých simulací. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISe.
English abstract
english description
Keywords
Strukturní simulace, Elektrická simulace, Identifikace parametrů, Modelování polovodičových struktur, Extrakce parametrů, 2D, Prahové napětí, Podprahový proud, Jevy krátkého kanálu, MOSFET, Hradlový proud, Přímé tunelování,
Key words in English
Device simulation,
Authors
RIV year
2007
Released
1. 1. 2007
Publisher
Nakl. Novotný
Location
Brno
ISBN
978-80-214-3534-6
Book
MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007
Pages from
51
Pages to
55
Pages count
5
BibTex
@inproceedings{BUT25397, author="Milan {Recman}", title="Počítačová simulace přímého tunelování hradlovými oxidy", booktitle="MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007", year="2007", pages="5", publisher="Nakl. Novotný", address="Brno", isbn="978-80-214-3534-6" }