Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
RECMAN, M.
Originální název
Počítačová simulace přímého tunelování hradlovými oxidy
Anglický název
Computer simulation of direct tunneling through gate oxides
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
čeština
Originální abstrakt
Se zmenšující se délkou kanálu tranzistorů NMOS se zmenšuje tloušťka hradlového oxidu a dominantní složkou proudu hradlem se stává přímé tunelování nosičů z kanálu a SDE(source-drain extensions) do polykrystalického hradla. Příspěvek se zabývá TCAD simulací tohoto tunelového proudu v NMOSFET strukturách s tloušťkou oxidu menší než 20 A. S použitím programů DIOS a MDRAW je vytvořena dvoudimenzionální struktura tranzistoru NMOS. DESSIS počítá složku hradlového proudu odpovídající přímému tunelování přes hradlový oxid a program INSPECT generuje a srovnává simulované A-V charakteristiky pro 7 jednotlivých simulací. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISe.
Anglický abstrakt
english description
Klíčová slova
Strukturní simulace, Elektrická simulace, Identifikace parametrů, Modelování polovodičových struktur, Extrakce parametrů, 2D, Prahové napětí, Podprahový proud, Jevy krátkého kanálu, MOSFET, Hradlový proud, Přímé tunelování,
Klíčová slova v angličtině
Device simulation,
Autoři
Rok RIV
2007
Vydáno
1. 1. 2007
Nakladatel
Nakl. Novotný
Místo
Brno
ISBN
978-80-214-3534-6
Kniha
MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007
Strany od
51
Strany do
55
Strany počet
5
BibTex
@inproceedings{BUT25397, author="Milan {Recman}", title="Počítačová simulace přímého tunelování hradlovými oxidy", booktitle="MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007", year="2007", pages="5", publisher="Nakl. Novotný", address="Brno", isbn="978-80-214-3534-6" }