Patent detail

Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody

KHATEB, F. KHATIB, N.

Patent type

Utility model

Abstract

Nová technika pro analogové integrované obvody "Enhanced Floating Gate MOS transistor (EFG-MOST)" používá MOS tranzistor s plovoucím hradlem (Floating gate), kde jsou spojeny substrátové hradlo tranzistoru (bulk vývod) a vstupní plovoucí hradlo. Toto spojení vede ke zvýšení celkové transkonduktance tranzistoru a eliminuje se vliv prahového napětí. EFG-MOST umožňuje navrhovat a vyrábět analogové obvody ve standardní CMOS technologii. Unikátnost této techniky spočívá ve snižování napájecího napětí pod 0,8 V a snížení celkové spotřeby. Tato technika je tedy obzvlášť vhodná pro navrhování integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace, kde je snižování napájecího napětí a celková spotřeba obvodů velmi důležitým požadavkem.

Keywords

MOST s plovoucím hradlem; Substrátem řízený MOST; Návrh nízkonapěťového nízkopříkonového analogového obvodu

Patent number

23091

Date of application

19. 7. 2011

Date of registration

19. 12. 2011

Date of expiry

19. 7. 2015

Publisher

Úřad průmyslového vlastnictví

Owner

Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ

Possibilities of use

In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license

Licence fee

The licensor does not require a license fee for the result

www

http://spisy.upv.cz/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0023/uv023091.pdf