Detail patentu

Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody

KHATEB, F. KHATIB, N.

Typ patentu

užitný vzor

Abstrakt

Nová technika pro analogové integrované obvody "Enhanced Floating Gate MOS transistor (EFG-MOST)" používá MOS tranzistor s plovoucím hradlem (Floating gate), kde jsou spojeny substrátové hradlo tranzistoru (bulk vývod) a vstupní plovoucí hradlo. Toto spojení vede ke zvýšení celkové transkonduktance tranzistoru a eliminuje se vliv prahového napětí. EFG-MOST umožňuje navrhovat a vyrábět analogové obvody ve standardní CMOS technologii. Unikátnost této techniky spočívá ve snižování napájecího napětí pod 0,8 V a snížení celkové spotřeby. Tato technika je tedy obzvlášť vhodná pro navrhování integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace, kde je snižování napájecího napětí a celková spotřeba obvodů velmi důležitým požadavkem.

Klíčová slova

MOST s plovoucím hradlem; Substrátem řízený MOST; Návrh nízkonapěťového nízkopříkonového analogového obvodu

Číslo patentu

23091

Datum přihlášky

19. 7. 2011

Datum zápisu

19. 12. 2011

Datum skončení platnosti

19. 7. 2015

Vydavatel

Úřad průmyslového vlastnictví

Vlastník

Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ

Možnosti využití

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www

http://spisy.upv.cz/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0023/uv023091.pdf