Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
doc. Ing.
Ph.D.
FSI, ÚFI – docent
+420 54114 2813mach@fme.vutbr.cz
Odeslat VUT zprávu
2023
HORÁK, M.; ČALKOVSKÝ, V.; MACH, J.; KŘÁPEK, V.; ŠIKOLA, T. Plasmonic Properties of Individual Gallium Nanoparticles. J PHYS CHEM LETT, 2023, roč. 14, č. 8, s. 2012-2019. ISSN: 1948-7185.Detail | WWW | Plný text v Digitální knihovně
BAKHSHIKHAH, M.; LIŠKA, J.; MIRDAMADI KHOUZANI, S.; ČERVINKA, O.; MACH, J.; KOLÍBAL, M.; ŠIKOLA, T. Improvement of photoluminescence quality of MoS2 monolayers by an atomic hydrogen beam. International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics. META. 2023. s. 1437-1438. ISSN: 2429-1390.Detail
HORÁK, M.; ČALKOVSKÝ, V.; KŘÁPEK, V.; RILEY, J.; PACHECO-PEÑA, V.; MACH, J.; ŠIKOLA, T. Plasmon Resonances in Ga Nanoparticles and Plasmonic Antennas for Biosensing. International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics. META. 2023. s. 597-598. ISSN: 2429-1390.Detail
ŠVARC, V.; BARTOŠÍK, M.; KONEČNÝ, M.; PIASTEK, J.; NEZVAL, D.; MACH, J.; ŠIKOLA, T. Side charge propagation in simultaneous KPFM and transport measurement of humidity exposed graphene FET sensor. CARBON, 2023, roč. 215, č. 1, s. 118471 ( s.)ISSN: 1873-3891.Detail | WWW
NEZVAL, D.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; ŠVARC, V.; KONEČNÝ, M.; PIASTEK, J.; ŠPAČEK, O.; ŠIKOLA, T. DFT study of water on graphene: Synergistic effect of multilayer p-doping. Journal of Chemical Physics, 2023, roč. 159, č. 21, ISSN: 1089-7690.Detail | WWW
2022
HORÁK, M.; LIGMAJER, F.; ČALKOVSKÝ, V.; DAŇHEL, A.; KEPIČ, P.; MACH, J.; ŠIKOLA, T. Plasmon resonances in biocompatible nanoparticles. International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics. META. 2022. s. 1261-1262. ISSN: 2429-1390.Detail
MANIŠ, J.; MACH, J.; BARTOŠÍK, M.; ŠAMOŘIL, T.; HORÁK, M.; ČALKOVSKÝ, V.; NEZVAL, D.; KACHTÍK, L.; KONEČNÝ, M.; ŠIKOLA, T. Low temperature 2D GaN growth on Si(111) 7 x 7 assisted by hyperthermal nitrogen ions. NANOSCALE ADVANCES, 2022, roč. 1, č. 1, s. 1-8. ISSN: 2516-0230.Detail | WWW | Plný text v Digitální knihovně
PIASTEK, J.; MACH, J.; BÁRDY, S.; ÉDES, Z.; BARTOŠÍK, M.; MANIŠ, J.; ČALKOVSKÝ, V.; KONEČNÝ, M.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Correlative Raman Imaging and Scanning Electron Microscopy: The Role of Single Ga Islands in Surface-Enhanced Raman Spectroscopy of Graphene. Journal of Physical Chemistry C (web), 2022, roč. 126, č. 9, s. 4508-4514. ISSN: 1932-7455.Detail | WWW
2021
ROTHMAN, A.; MANIŠ, J.; DUBROVSKII, V.; ŠIKOLA, T.; MACH, J.; JOSLEVICH, E. Kinetics of Guided Growth of Horizontal GaN Nanowires on Flat and Faceted Sapphire Surfaces. Nanomaterials, 2021, roč. 11, č. 3, s. 1-9. ISSN: 2079-4991.Detail | WWW | Plný text v Digitální knihovně
2020
NEZVAL, D.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; PIASTEK, J.; ŠVARC, V.; KONEČNÝ, M.; ŠIKOLA, T. Density functional study of gallium clusters on graphene: electronic doping and diffusion. Journal of Physics Condensed Matter, 2020, roč. 33, č. 2, s. 1-7. ISSN: 1361-648X.Detail | WWW
PRŮŠA, S.; BÁBÍK, P.; MACH, J.; STRAPKO, T.; ŠIKOLA, T.; BRONGERSMA, H. Calcium and fluorine signals in HS-LEIS for CaF2(111) and powder-Quantification of atomic surface concentrations using LiF(001), Ca, and Cu references. Surface Science Spectra, 2020, roč. 27, č. 2, s. 1-13. ISSN: 1055-5269.Detail | WWW | Plný text v Digitální knihovně
BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; PIASTEK, J.; NEZVAL, D.; KONEČNÝ, M.; ŠVARC, V.; ENSSLIN, K.; ŠIKOLA, T. Mechanism and Suppression of Physisorbed-Water-Caused Hysteresis in Graphene FET Sensors. ACS Sensors, 2020, roč. 5, č. 9, s. 2940-2949. ISSN: 2379-3694.Detail | WWW
2019
MACH, J.; PIASTEK, J.; MANIŠ, J.; ČALKOVSKÝ, V.; ŠAMOŘIL, T.; FLAJŠMANOVÁ, J.; BARTOŠÍK, M.; VOBORNÝ, S.; KONEČNÝ, M.; ŠIKOLA, T. Low temperature selective growth of GaN single crystals on pre-patterned Si substrates. Applied Surface Science, 2019, roč. 497, č. 143705, s. 1-7. ISSN: 0169-4332.Detail | WWW
2018
KONEČNÝ, M.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; ŠVARC, V.; NEZVAL, D.; PIASTEK, J.; PROCHÁZKA, P.; CAHLÍK, A.; ŠIKOLA, T. Kelvin Probe Force Microscopy and Calculation of Charge Transport in a Graphene/Silicon Dioxide System at Different Relative Humidity. ACS APPL MATER INTER, 2018, roč. 10, č. 14, s. 11987-11994. ISSN: 1944-8244.Detail | WWW
2017
BARTOŠÍK, M.; KORMOŠ, L.; FLAJŠMAN, L.; KALOUSEK, R.; MACH, J.; LIŠKOVÁ, Z.; NEZVAL, D.; ŠVARC, V.; ŠAMOŘIL, T.; ŠIKOLA, T. Nanometer-Sized Water Bridge and Pull-Off Force in AFM at Different Relative Humidities: Reproducibility Measurement and Model Based on Surface Tension Change. JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B, 2017, roč. 121, č. 3, s. 610-619. ISSN: 1520-6106.Detail
MACH, J.; PROCHÁZKA, P.; BARTOŠÍK, M.; NEZVAL, D.; PIASTEK, J.; HULVA, J.; ŠVARC, V.; KONEČNÝ, M.; KORMOŠ, L.; ŠIKOLA, T. Electronic transport properties of graphene doped by gallium. NANOTECHNOLOGY, 2017, roč. 28, č. 41, s. 1-10. ISSN: 0957-4484.Detail | WWW
2016
MOURALOVÁ, K.; BEDNÁŘ, J.; KOVÁŘ, J.; MACH, J. Evaluation of MRR after WEDM depending on the resulting surface. Manufacturing TECHNOLOGY, 2016, roč. 2016, č. 2, s. 396-401. ISSN: 1213-2489.Detail
MOURALOVÁ, K.; MATOUŠEK, R.; KOVÁŘ, J.; MACH, J.; KLAKURKOVÁ, L.; BEDNÁŘ, J. Analyzing the surface layer after WEDM depending on the parameters of a machine for the 16MnCr5 steel. MEASUREMENT, Journal of the International Measurement Confederation (IMEKO), 2016, roč. 2016, č. 94, s. 771-779. ISSN: 0263-2241.Detail | WWW
2014
MACH, J.; ŠAMOŘIL, T.; KOLÍBAL, M.; ZLÁMAL, J.; VOBORNÝ, S.; BARTOŠÍK, M.; ŠIKOLA, T. Optimization of ion-atomic beam source for deposition of GaN ultrathin films. Review of Scientific Instruments, 2014, roč. 85, č. 8, s. 083302-1 (083302-5 s.)ISSN: 0034-6748.Detail
GLAJC, P.; ZLÁMAL, J.; MACH, J.; KOLÍBAL, M.; ŠIKOLA, T. Návrh iontového zdroje se sedlovým polem a žhavenou katodou. Jemná mechanika a optika, 2014, roč. 59, č. 6- 7, s. 181-183. ISSN: 0447- 6441.Detail
PROCHÁZKA, P.; MACH, J.; BISCHOFF, D.; LIŠKOVÁ, Z.; DVOŘÁK, P.; VAŇATKA, M.; SIMONET, P.; VARLET, A.; HEMZAL, D.; PETRENEC, M.; KALINA, L.; BARTOŠÍK, M.; ENSSLIN, K.; VARGA, P.; ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T. Ultrasmooth metallic foils for growth of high quality graphene by chemical vapor deposition. NANOTECHNOLOGY, 2014, roč. 25, č. 18, s. 185601-1 (185601-8 s.)ISSN: 0957-4484.Detail
LIŠKOVÁ, Z.; HAMMEROVÁ, V.; ZAHRADNÍČEK, R.; MACH, J.; PROCHÁZKA, P.; HULVA, J.; BARTOŠÍK, M.; ŠIKOLA, T. Měření Schotkyho grafen/ Si přechodu metodou EBIC. Jemná mechanika a optika, 2014, roč. 59, č. 6- 7, s. 189-191. ISSN: 0447- 6441.Detail
PROCHÁZKA, P.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; LIŠKOVÁ, Z.; DAVID, B.; HULVA, J.; KONEČNÝ, M.; ŠIKOLA, T. Shubnikovy- de Haasovy oscilace na grafenu připraveném metodou CVD. Jemná mechanika a optika, 2014, roč. 59, č. 6- 7, s. 195-198. ISSN: 0447- 6441.Detail
2013
LIŠKOVÁ, Z.; PROCHÁZKA, P.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; URBÁNEK, M.; LEDINSKÝ, M.; FEJFAR, A.; ŠIKOLA, T. Metody charakterizace grafenu. Jemná mechanika a optika, 2013, roč. 58, č. 6, s. 184-186. ISSN: 0447- 6441.Detail
2011
KOLÍBAL, M.; VYSTAVĚL, T.; NOVÁK, L.; MACH, J.; ŠIKOLA, T. In-situ observation of <110> oriented Ge nanowire growth and associated collector droplet behavior. Applied Physics Letters, 2011, roč. 99, č. 14, s. 143113- 1 (143113-3 s.)ISSN: 0003- 6951.Detail
MACH, J.; ŠAMOŘIL, T.; VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; ZLÁMAL, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; ŠIKOLA, T. An ultra-low energy (30–200 eV) ion-atomic beam source for ion-beam- assisted deposition in ultrahigh vacuum. Review of Scientific Instruments, 2011, roč. 82, č. 8, s. 083302- 1 (083302-7 s.)ISSN: 0034- 6748.Detail
2010
KOLÍBAL, M.; ČECHAL, J.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; ŠIKOLA, T. Stability of hydrogen- terminated silicon surface under ambient atmosphere. Applied Surface Science, 2010, roč. 256, č. 11, s. 3423-2426. ISSN: 0169- 4332.Detail
2009
ČECHAL, J.; TOMANEC, O.; ŠKODA, D.; KOŇÁKOVÁ, K.; HRNČÍŘ, T.; MACH, J.; KOLÍBAL, M.; ŠIKOLA, T. Selective growth of Co islands on ion beam induced nucleation centers in a native SiO2 film. Journal of Aplied Physics, 2009, roč. 105, č. 8, s. 084314-1 (084314-6 s.)ISSN: 0021-8979.Detail
BARTOŠÍK, M.; KOLÍBAL, M.; ČECHAL, J.; MACH, J.; ŠIKOLA, T. Selective growth of metallic nanostructures on surfaces patterned by AFM local anodic oxidation. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2009, roč. 9, č. 10, s. 5887-5890. ISSN: 1533- 4880.Detail
2008
MACH, J.; ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T. Atomic hydrogen induced gallium nanocluster formation on the Si(100) surface. Surface Science, 2008, roč. 602, č. 10, s. 1898-1902. ISSN: 0039- 6028.Detail
2007
PRŮŠA, S.; KOLÍBAL, M.; BÁBOR, P.; MACH, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of thin films by TOF- LEIS. ACTA PHYSICA POLONICA A, 2007, roč. 111, č. 3, s. 335-341. ISSN: 0587- 4246.Detail
ČECHAL, J.; MACH, J.; VOBORNÝ, S.; KOSTELNÍK, P.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. A study of Ga layers on Si(100)-(2x1) by SR-PES: influence of adsorbed water. Surface Science, 2007, roč. 601, č. 9, s. 2047-2053. ISSN: 0039- 6028.Detail
2005
BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T. Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS. 1. Seville: 2005.Detail
VOBORNÝ, S.; MACH, J.; POTOČEK, M.; KOSTELNÍK, P.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of GaN Ultrathin Films grown by Direct Ion Beam Deposition. 1. Vienna: 2005. s. 117-117. Detail
BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T. Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS. 1. Manchester: 2005. s. 178-178. Detail
2004
VOBORNÝ, S., MACH, J., KOLÍBAL, M., ČECHAL, J., BÁBOR, P., POTOČEK, M., ŠIKOLA, T. A study of Early Periods of GaN Ultrathin Film Growth. In New Trends in Pysics. Brno: VUT v Brně, 2004. s. 270 ( s.)ISBN: 80-7355-024- 5.Detail
VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; MACH, J.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; PRŮŠA, S.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Deposition and in-situ charakterization of ultra- thin films. Thin Solid Films, 2004, roč. 459, č. 1- 2, s. 17 ( s.)ISSN: 0040- 6090.Detail
VOBORNÝ, S.; MACH, J.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; TOMANEC, O.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium- nitride Ultrathin Film Growth. Jemná mechanika a optika, 2004, roč. 9, č. 9, s. 265 ( s.)ISSN: 0447- 6441.Detail
2003
PRŮŠA, S., KOLÍBAL, M., BÁBOR, P., MACH, J., JURKOVIČ, P., ŠIKOLA, T. Analysis of thin films by TOF LEIS. In EVC' 03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. s. 133 ( s.)Detail
VOBORNÝ, S., KOLÍBAL, M., MACH, J., ČECHAL, J., BÁBOR, P., PRŮŠA, S., SPOUSTA, J., ŠIKOLA, T. Deposition and in situ characterization of ultra- thin films. In EVC' 03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. s. 45 ( s.)Detail
*) Citace publikací se generují jednou za 24 hodin.