čeština

Student po absolvování předmětu:
1. zná dělení a základní principy realizace polovodičových součástek,
2. rozumí a umí objasnit základy funkce polovodičových součástek a popíše jejich použití,
3. objasní realizační kroky v postupu výroby základních polovodičových součástek na experimentální činnosti v laboratoři,
4. zaujímá stanovisko k možnosti uplatnění ve výrobních, servisních a návrhových institucích v oblasti polovodičových komponent.

Jsou požadovány znalosti z fyziky a polovodičové techniky na úrovni bakalářského studia.

Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT. Zahrnují přednášky, laboratoře a cvičení, včetně krátkého odborného překladu. Předmět využívá e-learning (Moodle). Student odevzdává jeden samostatný projekt.

Podmínky pro ukončení předmětu jsou stanoveny předpisem vydaným lektorem odpovědným za předmět a aktualizovaným pro každý akademický rok. Zkouška z předmětu bude probíhat prezenčně s vyhrazením přesného času, kdy se studenti ke zkoušce dostaví (max. 3 lidé ve zkušební místnosti).

Osnova přednášek
1. Vybrané fyzikální principy
3. Přechod kov-polovodič, Schottkyho dioda
4. Bipolární tranzistor
5. MIS Dioda
6. Tranzistor řízený elektrickým polem JFET
7. Tranzistor řízený elektrickým polem MOSFET
8. Integrita gate oxidu
9. Injekce horkých elektronů (HCI)
10. Stress migrace a elektromigrace v metalizaci.
11. Plasmatické poškození oxidů (PID)
12. Oxidace a epitaxe křemíku
13. Fotolitografie
14. Difúze a implantace
15. Metalizace

Cílem předmětu je poskytnout studentům základní znalosti o základech polovodičové technologie. Cílem předmětu v teoretické části je seznámit studenty se základními fyzikálními vlastnostmi polovodičů, principy fungování polovodičových zařízení, jejich současným pojetím a základy jejich výroby. V praktické části předmětu je cílem získání základních znalostí a dovedností pro práci s polovodiči v čisté laboratoři tak, aby se studenti mohli zapojit do výzkumných, vývojových a výrobních předmětů a pokračovat ve vědeckých činnostech.

Obsah a formy výuky v hodnoceném předmětu jsou stanoveny předpisem vydaným lektorem odpovědným za předmět a aktualizovaným pro každý akademický rok.
Teoretické cvičení – výpočty časů oxidace, difuze a hloubky polovodičového přechodu.
Laboratorní cvičení a projekt – návrh a popis výroby studentského polovodičového čipu prováděné v laboratoři (čištění, fotolitografie, metalizace, atd.).

DIVENTRA M., EVOY S., HEFLIN J. R.: Introduction to Nanoscale Science and Technology. Kluwer Academic Publishers, Boston 2004 (EN)
I. Szendiuch, V. Musil, J. Stehlík. Výroba součástek a konstrukčních prvků. Elektronický studijní text. 2006. 84 str., VUT FEKT Brno. Brno: VUT Brno, 2006. s. 1 ( s.) (CS)
MUSIL, V. a kol.: Výroba součástek a konstrukčních prvků. Nanotechnologie. Prezentace projektu KISP. VUT v Brně, 2015 (CS)
POOLE,C.P.(JR). -OWENS, F.J.: Introduction to Nanotechnology, Wiley Interscience, 2003 ISBN:0-471-07935-9 (EN)
STRAKOŠ, V.: Výroba součástek a konstrukčních prvků. Prezentace projektu KISP, VUT v Brně, 2015 (CS) (CS)
SZENDIUCH, I. a kol. Technologie elektronických obvodů a systémů. GA102/00/ 0969. GA102/00/ 0969. Brno: Nakladatelství VUTIUM, Brno, 2002. 289 s. ISBN: 80-214-2072- 3. (CS)
YING J. Y.: Nanostructured Materials. Academic Press, San Diego 2001 STREETMAN, B.G. –BANERJEE, S.K.: Solid state electronic devices. Prentice Hall, 2010, ISBN 978-0-13-245479-7 (EN)