Detail předmětu

Elektronické součástky

FEKT-BPC-EDEAk. rok: 2023/2024

V rámci předmětu si studenti osvojí znalosti z oblastí: Základy fyziky polovodičů. Přechod PN. Polovodičová dioda. Bipolární tranzistor. Unipolární tranzistory. Spínací prvky. Optoelektronické prvky.

Jazyk výuky

čeština, angličtina

Počet kreditů

Vstupní znalosti

Jsou požadovány znalosti na úrovni středoškolského studia.

Pravidla hodnocení a ukončení předmětu

Cvičení odborného základu: 30 bodů; minimum 20 bodů.
Závěrečná zkouška: 70 bodů; minimum 30 bodů.
Přednášky. Cvičení odbornéhon základu.

Učební cíle

Seznámit studenty s vlastnostmi elektronických součástek a jejich použitím a s základní terminologií oboru v angličtině a v češtině.


Na základě znalostí získaných na přednáškách a ve cvičeních odborného základu a jejich ověření při písemné zkoušce je student schopen:
Podrobně popsat mechanismy, které působí na přechodu PN v rovnovážném stavu a při polarizaci přechodu PN v propustném směru a v závěrném směru.
Definovat bariérovou a difúzní kapacitu přechodu PN.
Vysvětlit rovnici ampér-voltové charakteristiky PN přechodu
Vysvětlit činnost přechodu PN v obvodovém zapojení usměrňovače, stabilizátoru napětí, kapacitní diody, fotodiody, luminiscenční diody, řízeného diferenciálního odporu a diodového spínače.
Popsat strukturu bipolárního tranzistoru (BT) a vysvětlit její činnost.
Navrhnout a analyzovat zesilovač s bipolárním tranzistorem a spínač s bipolárním tranzistorem.
Popsat strukturu unipolárního tranzistoru J-FET a vysvětlit její činnost.
Popsat strukturu unipolárního tranzistoru IGFET a vysvětlit její činnost.
Navrhnout a analyzovat zesilovač ve třídě A s unipolárními tranzistory a spínač s unipolárními tranzistory.
Popsat strukturu tyristoru a na náhradním schématu vysvětlit její činnost.
Popsat vlastnosti a triaku a vysvětlit jeho použití.
Definovat princip fázového řízení spínacích prvků.
Popsat mechanismy interakce záření s pevnou látkou.
Definovat fotometrické a radiometrické veličiny.
Popsat uspořádání laserů a zdůvodnit výhody jejich použití.

Základní literatura

BOUŠEK J., HORÁK M., Electronic Devices, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum, BRNO 2006 (CS)
BOUŠEK J., KOSINA P., MOJROVÁ B. Elektronické součástky. FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum, BRNO 2015 (CS)
BOUŠEK J., KOSINA P., MOJROVÁ B. Elektronické součástky: sbírka příkladů. FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum, BRNO 2015. (CS)
BOYLESTAD, Robert L. a Louis NASHELSKY. Electronic devices and circuit theory. 8th ed. Upper Saddle River: Prentice Hall, 2002. ISBN 0-13-094444-0. (CS)
EMILIANO R. MARTINS , Essentials of Semiconductor Device Physics, Wiley 2022, ISBN: 978-1-119-88411-8 (CS)
SINGH J. Semiconductor Devices. McGraw-Hill, 1994. ISBN-10 0071139060. (CS)

Elearning

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program BPC-APE bakalářský 1 ročník, letní semestr, povinný

  • Program AJEI-H bakalářský

    obor H-AEI , 1 ročník, letní semestr, povinný

Typ (způsob) výuky

 

Přednáška

13 hod., povinná

Vyučující / Lektor

Cvičení odborného základu

13 hod., povinná

Vyučující / Lektor

Elearning