Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail předmětu
FEKT-MPC-MPRAk. rok: 2023/2024
Předmět rozšiřuje a prohlubuje poznatky o polovodičových součástkách z předmětu bakalářského stupně studia. Je cílem seznámit studenty s vybranými parametry a vlastnostmi vybraných druhů součástek elektroniky v relaci se základními fyzikálními principy součástek. Studenti budou seznámeni s vlastnostmi moderních polovodičových součástek (JFET, MOSFET a IGBT) na bázi Si, SiC a GaN včetně jejich použití v obvodech elektrotechniky. Cílem praktických zaměstnání je prohloubit teoretické znalosti studentů experimentálním ověřením vlastností vybraných moderních polovodičových součástek s využitím prostředků automatizovaných měření (LabVIEW) a simulací.
Jazyk výuky
Počet kreditů
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Vstupní znalosti
Jsou požadovány základní znalosti fyziky, matematiky a elektrických obvodů.
Práce v laboratoři je podmíněna platnou kvalifikací „osoby poučené“, kterou musí studenti získat před zahájením výuky. Informace k této kvalifikaci jsou uvedeny ve Směrnici děkana Seznámení studentů s bezpečnostními předpisy.
Pravidla hodnocení a ukončení předmětu
Bodové hodnocení (max. 100 bodů): max. 30 bodů za práci během semestru; max. 70 bodů za zkoušku.
Závěrečná zkouška se skládá ze dvou částí (písemné a ústní) a je celkově hodnocena 70 body.
Učební cíle
Cílem tohoto předmětu magisterské nadstavby je rozšířit a prohloubit poznatky o polovodičových součástkách z předmětu bakalářského stupně studia. Je cílem zdůraznit vztahy mezi fyzikálním principem součástky a vlastní realizací součástky. Předmět by měl zdůraznit souvislosti a vztahy mezi vlastnostmi výchozího polovodičového materiálu a vlastnostmi polovodičové součástky. Na cvičeních se studenti naučí interpretovat základní veličiny v polovodičových materiálech a strukturách. Cílem praktických zaměstnání je prohloubit znalosti experimentálním ověřením vybraných polovodičových součástek.
Základní literatura
Elearning
Zařazení předmětu ve studijních plánech
Přednáška
Vyučující / Lektor
Osnova
Cvičení odborného základu
Cvičení na počítači
1. V-A charakteristiky polovodičových diod – měření (statický a dynamický režim). 2. Počítačové modelování polovodičových diod s využitím SPICE modelů (REC, SBD, FRD a SW) se zaměřením na parametry VF a trr. 3. Sestavení automatizovaného pracoviště pro měření polovodičových součástek v prostředí LabVIEW. 4. Sestavení automatizovaného pracoviště pro měření polovodičových součástek v prostředí LabVIEW. 5. Automatizované měření polovodičových diod (REC, SBD, FRD a SW) a porovnání výsledků s výsledky modelování SPICE modelů ze cvičení 2. 6. Měření na prvcích SiC SBD. Určení parametrů polovodičové diody. 7. Vstupní a výstupní charakteristiky polovodičových prvků (BT, MOSFET). Princip činnosti polovodičových prvků ve spínacím režimu. 8. Měření statických parametrů výkonového MOSFET a SiC MOSFET a jejich chování ve spínacím režimu. 9. Počítačové modelování polovodičových součástek (MOSFET, SiC MOSFET a IGBT) s využitím SPICE modelů. 10. Automatizované měření polovodičových součástek (BT, MOSFET, SiC MOSFET a IGBT) v prostředí LabVIEW. 11. Automatizované měření polovodičových součástek (BT, MOSFET, SiC MOSFET a IGBT) v prostředí LabVIEW. 12. Určení parametrů polovodičových prvků (BT, MOSFET a IGBT) z naměřených voltampérových charakteristik a srovnání s katalogovým listem součástek a SPICE modelem. 13. Měření dynamických vlastností SiC MOSFET a IGBT s budícími obvody nebo Exkurze v ONSEMI.