Detail předmětu
Vysokofrekvenční obvody
FEKT-MPC-VFOAk. rok: 2024/2025
Náplň spočívá v návrhu pasivních a aktivních obvodů z diskrétních prvků se soustředěnými a rozloženými parametry až do GHz frekvencí a v seznámení s principy návrhu vysokofrekvenčních integrovaných obvodů.
Jazyk výuky
Počet kreditů
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Vstupní znalosti
- vysvětlit základní pojmy z obvodové techniky a z teorie elektromagnetických vln a vedení (indukčnost, kapacita, impedance, činitel odrazu, Smithův diagram, poměr stojatých vln)
- analyzovat jednoduché elektronické obvody s pasivními součástkami
- počítat s komplexními čísly a logaritmy
- znát vlastnosti paralelních a sériových rezonančních obvodů
- znát klasické třídy zesilovačů a spočítat nastavení jejich pracovních bodů Práce v laboratoři je podmíněna platnou kvalifikací „osoby znalé pro samostatnou činnost“, kterou musí studenti získat před zahájením výuky. Informace k této kvalifikaci jsou uvedeny ve Směrnici děkana Seznámení studentů s bezpečnostními předpisy.
Pravidla hodnocení a ukončení předmětu
Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.
Učební cíle
Student si: (a) osvojí základní dovednosti reálného návrhu základních vysokofrekvenčních bloků přijímacího a vysílacího řetězce; (b) bude zvládat početní návrh vybraných obvodů pro požadovanou specifikaci a počítačovou simulaci pro základní ověření činnosti.
Základní literatura
GILMORE, Rowan. a Les. BESSER. Practical RF circuit design for modern wireless systems. Vol. II. Boston, MA: Artech House, c2003. ISBN 1-58053-522-4. (EN)
Elearning
Zařazení předmětu ve studijních plánech
- Program MPC-EKT magisterský navazující 1 ročník, letní semestr, povinný
Typ (způsob) výuky
Přednáška
Vyučující / Lektor
Osnova
Organizace, úvod, pasivní filtry se soustředěnými parametry
Filtry se soustředěnými parametry a s rozloženými parametry
Filtry s krátkými úseky vedení a vázanými koaxiálními rezonátory
Filtry s vázanými rezonátory – ext. přednášející
Lineární zesilovače
Zesilovače s vysokou účinností
RF chip design 1 – Tomáš Götthans
RF chip design 2 - Tomáš Götthans
Návrh pasivních/nízkopříkonových obvodů na čipu 1 – Roman Šotner
Návrh pasivních/nízkopříkonových obvodů na čipu 2 – Roman Šotner
Měření na čipu
Samostatné projekty
Laboratorní cvičení
Vyučující / Lektor
Osnova
instalace ANSYS HFSS
úvodní simulace obvodů se soustředěnými parametry
simulace obvodů se soustředěnými parametry
simulace obvodů se soustředěnými parametry
simulace obvodů s rozprostřenými parametry
zesilovač výkonově/šumově přizpůsobený
filtr se soustředěnými parametry
zesilovač výkonově přizpůsobený 1
zesilovač výkonově přizpůsobený 2
design čipu 1 na učebně T10 N5.18
design čipu 2 na učebně T10 N5.18
ukázka měření na čipu / doměřování
Elearning