Detail předmětu
Elektronické součástky - praktikum
FEKT-BPC-ESOPAk. rok: 2025/2026
Přechod PN. Polovodičová dioda. Bipolární tranzistor. Unipolární tranzistory. Spínací prvky, tyristor.
Jazyk výuky
čeština
Počet kreditů
2
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Vstupní znalosti
Jsou požadovány znalosti na úrovni středoškolského studia.
Práce v laboratoři je podmíněna platnou kvalifikací „osoby poučené“, kterou musí studenti získat před zahájením výuky. Informace k této kvalifikaci jsou uvedeny ve Směrnici děkana Seznámení studentů s bezpečnostními předpisy.
Práce v laboratoři je podmíněna platnou kvalifikací „osoby poučené“, kterou musí studenti získat před zahájením výuky. Informace k této kvalifikaci jsou uvedeny ve Směrnici děkana Seznámení studentů s bezpečnostními předpisy.
Pravidla hodnocení a ukončení předmětu
Maximální počet bodů získaný za aktivní účast v laboratorní výuce : 100.
Minimum bodů pro udělení zápočtu : 70.
Laboratorní cvičení, účast ve výuce dle rozvrhu, slpnění bodového limitu.
Minimum bodů pro udělení zápočtu : 70.
Laboratorní cvičení, účast ve výuce dle rozvrhu, slpnění bodového limitu.
Učební cíle
Seznámit posluchače s vlastnostmi elektronických součástek a jejich použitím.
Na základě ověření znalosti studenta v laboratorní výuce je student po absolvování předmětu schopen :
Pochopit a změřit vliv elektrického pole v depletiční oblasti polovodičového přechodu na chování přechodu v různých režimech.
Definovat a změřit bariérovou a difúzní kapacitu přechodu PN.
Vysvětlit a změřit činnost přechodu PN v zapojení usměrňovače, stabilizátoru napětí, kapacitní diody, fotodiody, luminiscenční diody a řízeného diferenciálního odporu.
Vysvětlit činnost struktury bipolárního tranzistoru a změřit její chování v typickém obvodovém zapojení.
Navrhnout a změřit zesilovač ve třídě A a spínač s bipolárním tranzistorem.
Popsat struktury unipolárních tranzistorů JFET a IGFET a změřit jejich chování v typickém obvodovém zapojení.
Navrhnout a změřit zesilovač ve třídě A a spínač s unipolárními tranzistory JFET a IGFET.
Vysvětlit činnost tyristoru a změřit jeho chování v typickém obvodovém zapojení.
Definovat princip fázového řízení spínacích prvků a ověřit jeho funkci na jednoduchém řídícím obvodu.
Na základě ověření znalosti studenta v laboratorní výuce je student po absolvování předmětu schopen :
Pochopit a změřit vliv elektrického pole v depletiční oblasti polovodičového přechodu na chování přechodu v různých režimech.
Definovat a změřit bariérovou a difúzní kapacitu přechodu PN.
Vysvětlit a změřit činnost přechodu PN v zapojení usměrňovače, stabilizátoru napětí, kapacitní diody, fotodiody, luminiscenční diody a řízeného diferenciálního odporu.
Vysvětlit činnost struktury bipolárního tranzistoru a změřit její chování v typickém obvodovém zapojení.
Navrhnout a změřit zesilovač ve třídě A a spínač s bipolárním tranzistorem.
Popsat struktury unipolárních tranzistorů JFET a IGFET a změřit jejich chování v typickém obvodovém zapojení.
Navrhnout a změřit zesilovač ve třídě A a spínač s unipolárními tranzistory JFET a IGFET.
Vysvětlit činnost tyristoru a změřit jeho chování v typickém obvodovém zapojení.
Definovat princip fázového řízení spínacích prvků a ověřit jeho funkci na jednoduchém řídícím obvodu.
Studijní opory
Elektronická skripta, PDF-prezentace přednášek, videozáznamy přednášek, pracovní soubory v e-learningu, doporučená literatura.
Základní literatura
Boušek J., Kosina P.: Elektronické součástky BESO, laboratorní cvičení, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boušek J., Kosina P., Mojrova B.: Elektronické součástky, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boušek J., Kosina P., Mojrova B.: Elektronické součástky sbírka příkladů, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boylestad R., Nashelsky L. :Electronic devices and Circuit Theory ,Prentice Hall
Siu Ch.: Electronic Devices, Circuits, and Applications, Springer 2023, ISBN978-3-030-80540-1 (CS)
Záhlava V., Vobecký J.: Elektronika - Součástky a obvody, principy a příklady (3.vydání), GRADA 2005/dotisk 2021 (CS)
Boušek J., Kosina P., Mojrova B.: Elektronické součástky, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boušek J., Kosina P., Mojrova B.: Elektronické součástky sbírka příkladů, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boylestad R., Nashelsky L. :Electronic devices and Circuit Theory ,Prentice Hall
Siu Ch.: Electronic Devices, Circuits, and Applications, Springer 2023, ISBN978-3-030-80540-1 (CS)
Záhlava V., Vobecký J.: Elektronika - Součástky a obvody, principy a příklady (3.vydání), GRADA 2005/dotisk 2021 (CS)
Zařazení předmětu ve studijních plánech
Typ (způsob) výuky
Laboratorní cvičení
26 hod., nepovinná
Vyučující / Lektor
Osnova
1) Zásady pro vzájemné propojování elektronických obvodů. Metody měření v elektronických obvodech. Derivační článek a integrační článek, určení časové konstanty.
2) Diodový usměrňovač.Porovnání dynamických vlastností diod s různou technologií. AV charakteristiky polovodičových diod.
3) Diferenciální odpor polovodičového přechodu. Řízený napěťový dělič. Určení koeficientu m. Diodový spínač.
4) Přechod PN v závěrném směru. Diodový stabilizátor napětí. Fotodioda. Bipolární transistor (BT).
5) Výstupní charakteristika BT v zapojení SE. BT jako napěťový zesilovač v zapojení SE.
6) Zapojení pro nastavení pracovního bodu BT. Vstupní a výstupní odpor BT v zapojeních SE,SC a SB
7) BT jako spínač. Optron.
8) Tranzistor J-FET. Převodní charakteristika. Výstupní charakteristika. J-FET jako napěťový zesilovač.
9) Tranzistor VDMOS. Převodní charakteristika. Výstupní charakteristika. VDMOS jako napěťový zesilovač.
10) Spínač s tranzistorem VDMOS. Zapojení s induktuvní zátěží.
11)Tyristor. Vstupní charakteristika. Spínací charakteristika.
12) Doměřování a náhradní cvičení.
13 Zápočet