Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail předmětu
FEKT-BPC-MSIAk. rok: 2025/2026
Předmět je zaměřen na problematiku počítačového modelování a analýzy elektronických obvodů a mikroelektronických struktur. V rámci předmětu je student seznámen s obecnými principy, možnostmi a omezeními různých typů analýz. Podrobně se seznámí s používanými modely jednotlivých součástek. V rámci cvičení studenti získají praktické zkušenosti s návrhovým programem pro integrované obvody od společnosti Cadence.
Jazyk výuky
Počet kreditů
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Vstupní znalosti
Pravidla hodnocení a ukončení předmětu
Bodové hodnocení je rozděleno následujícím způsobem:
- až 40 bodů za práci v semestru (minimálně 20 bodů pro získání zápočtu),- až 60 bodů za písemnou zkoušku.
Počítačová cvičení jsou povinná. Řádně omluvená absence na cvičení může být nahrazena po domluvě s vyučujícím.
Učební cíle
Cílem předmětu je navázat na základní znalosti z oblasti návrhu analogových obvodů, polovodičových prvků a mikroelektronických struktur a poskytnout studentům základní orientaci v problematice počítačové analýzy a modelování elektronických a mikroelektronických prvků a obvodů.
Absolvent předmětu je schopen:- obsluhovat nástroj pro počítačovou analýzu a simulaci elektronických obvodů,- zvolit vhodný typ počítačové simulace a nastavit její parametry v závislosti na požadovaném výstupu,- provádět počítačovou simulaci elektronických obvodů,- analyzovat a odstranit případné chyby bránící korektní počítačové simulaci,- získávat, analyzovat a verifikovat výsledky simulací,- vytvářet modely elektronických analogových prvků.
Základní literatura
Zařazení předmětu ve studijních plánech
Přednáška
Vyučující / Lektor
Osnova
Úvod do problematiky počítačového modelování, simulací elektronických obvodů a mikroelektronických strukturNávrhový balík Cadence: prostředí Virtuoso, základní nástroje ADE Explorer, ADE AssemblerČasová analýza (analýza transient)Kmitočtová analýza (analýza AC), šumová analýzaAnalýzy pro simulaci rozptylu výrobního procesuÚvod do Verilog-AMSModelování pasivních součástek (R, L, C) a polovodičových součástek (diody)Modelování bipolárních tranzistorů: Ebers-Moll, Gummel-Poon, VBICModelování unipolárních tranzistorů (LEVEL1-3, BSIM1-3)
Cvičení na počítači
Seznámení se s prostředím Cadence, nastavení knihoven, seznámení se s používanou technologiíVytváření obvodů, nastavení simulačních profilů v prostředí ADE Assembler a ADE ExplorerBehaviorální modelování, nastavení stimuliČasová analýza, řešení problémů s konvergencíKmitočtové analýzy (AC, PAC)Analýza Monte-Carlo, Corner analýzaÚvod do Verilog-AMSCharakterizace operačních zesilovačů, vytváření testovacích simulačních profilů, Nastavování funkcí pro zpracování výsledků simulacíPráce s modely bipolárních a unipolárních tranzistorů