Detail předmětu
Vybrané statě z výkonové elektroniky a elektrických pohonů
FEKT-DKC-VE1Ak. rok: 2025/2026
Problematika ringingu rychlých spínacích polovodičů MOS-FET, SiC MOS-FET a GaN MOS-FET, problematika obvodové realizace budičů pro tyto tranzistory, odlehčovací obvody vypínacího děje (ztrátové a bezeztrátové), parazitní jevy v silových obvodech DC/DC měniče s rychlými spínacími polovodiči - vliv rozptylu transformátoru, parazitních kapacit transformátoru a přechodu C-E tranzistorů, doptředný a zpětný zotavovací děj diod, eliminace důsledků těchto jevů. Vliv skin-efektu a proximity efektu ve vinutí, souvislosti geometrického uspořádání silového obvodu a budiče, problematika EMC.
Jazyk výuky
Počet kreditů
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Vstupní znalosti
2. Základní znalosti problematiky zapínacího a vypínacího děje spínacího tranzistoru.
3. Základní znalosti v problematice budičů výkonových tranzistorů.
4. Základní znalosti návrhu impulzních transformátorů a tlumivek.
Pravidla hodnocení a ukončení předmětu
Studijní výsledky jsou ověřovány průběžně během semestru na základě diskuze nad mírou pochopení probírané problematiky - max. 30 bodů.
Učební cíle
Absolvent rozumí pojmu ringing a zná mechanismy jeho vzniku.
Absolvent ovládá možnosti elminace ringingu konstrukcí silového obvodu a budiče.
Absolvent umí konstruovat koncové stupně budičů pro tranzistory SiC MOS-FET a GaN MOS-FET
Absolvent ovládá zapojení odlehčovacích obvodů.
Absolvent detailně rozumí vybraným typům rezonančních a kvazirezinančních měničů.
Absolvent umí navrhnout pulzní transformátor a tlumivku měniče včetně zohlednění skin-efektu a proximity-efektu.
Absolvent umí konstruovat silové obvody s extrémně rychlými polovodiči a dokáže se vypořádat se zesílenými parazitnimi jevy, jež se zde vyskytují.
Absolvent dokáže správně interpretovat zkreslení měření v silových obvodech.
Absolvent umí navrhnout odrušovací filtry měniče a dokáže konstruovat řídicí obvody odolné vůči rušení obvodů silových.
Základní literatura
Patočka, M.: Magnetické jevy a obvody ve výkonové elektronice, měřicí technice a silnoproudé elektrotechnice. V Brně: VUTIUM, 2011. ISBN 978-80-214-4003-6. (CS)
Patočka, M.: Vybrané statě z výkonové elektroniky, svazek 1, skriptum FEKT VUT Brno (CS)
Patočka, M.: Vybrané statě z výkonové elektroniky, svazek 2, skriptum FEKT VUT Brno (CS)
Zařazení předmětu ve studijních plánech
- Program DKC-EKT doktorský 0 ročník, zimní semestr, povinně volitelný
- Program DKC-KAM doktorský 0 ročník, zimní semestr, povinně volitelný
- Program DKC-MET doktorský 0 ročník, zimní semestr, povinně volitelný
- Program DKC-SEE doktorský 0 ročník, zimní semestr, povinně volitelný
- Program DKC-TEE doktorský 0 ročník, zimní semestr, povinně volitelný
- Program DKC-TLI doktorský 0 ročník, zimní semestr, povinně volitelný
Typ (způsob) výuky
Konzultace
Vyučující / Lektor
Osnova