Hlavním cílem předkládaného projektu je optimalizovat senzor pro detekci X a gama záření. V tomto projektu bude provedeno experimentální vyšetření generačně-rekombinačního a 1/f šumu na vzorcích kadmia-telluridu. Experimenty budou prováděny při velmi nízkých frekvencích. Důraz bude kladen při měření zejména v nízkofrekvenční oblasti (mHz) a jeho uspořádání bude s cílem na dosažení dlouhodobého pozorování fluktuací proudu a napětí. Výsledky fluktuací 1/f šumu většinou na CdTe detektoru budou porovnány s analýzou 1/f šumu v submikronových strukturách , jako jsou MOSFETy a HEMT struktury, u kterých se vyskytuje pouze málo nosičů v aktivní nanorozměrové oblasti. Proto se předpokládá, že v těchto nanostrukturách bude dominantní 1/f šum a bude tedy možno zkoumat vliv malého objemu elektronového plynu na 1/f šum. Tímto způsobem získáme cenné experimentální výsledky spektrální hustoty nízkofrekvenčního šumu a jejího vztahu vůči charakteristikám elektronového plynu jako střední volná dráha nosičů, závislosti pohyblivosti na teplotě a X a gama záření. Výzkum přispěje k hlubšímu poznání zdroje 1/f šumu. Vytvoří základ pro získání větší citlivosti těchto detektorů pro zlepšení technologie při přípravě detektorů na bázi CdTe, které je možno používat jako prvky aktivní bezpečnosti.

Klíčová slova
1/f šum, spektrální hustota, gama záření

Klíčová slova anglicky
1/f noise, spectral density, gamma rays