Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail projektu
Období řešení: 01.01.2007 — 31.12.2008
Zdroje financování
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR - KONTAKT
- částečně financující (2007-01-01 - 2008-12-31)
O projektu
Cílem projektu je studium fragmentace organosilikonových molekul v FR plazmatu. Kromě experimentální práce budou probíhat ab inition výpočty molekulárních stavů organosilikonů a jejich fragmentů. Výsledky práce budou využity v oblasti plazmochemické depozice tenkých vrstev.
Popis anglickyThe main goal of the project is the study of organosilicone molecules fragmentation in RF plasma. Besides the experimental work the numeric ab initio simulation of the organosilicone molecular states and their fragments will be completed. The results will be used in the field of plasma deposition of thin layers.
Klíčová slovaorganosilikonové molekuly, fragmentace, plasmatická depozice
Klíčová slova anglickyorganosilicone molecules, fragmentation, plasma deposition
Označení
2-07-27
Originální jazyk
čeština
Řešitelé
Krčma František, prof. RNDr., Ph.D. - hlavní řešitel
Útvary
Fakulta chemická- příjemce (11.01.2007 - nezadáno)
Výsledky
KRČMA, F.; FLAMÍKOVÁ, K.; STUDÝNKA, J. Fragmentation of Tetravinyl Silane in Pulsed RF Discharge. In Proceedings of 17th Symposium on Application of Plasma Processes. Bratislava: UK Bratislava, 2009. p. 285-286. ISBN: 978-80-89186-45-7.Detail
STRUŽÍNSKÝ, O.; SAHÁNKOVÁ, H.; KRČMA, F.; CAYAO, D. Fragmentation of Tetravinylsilane by Electron Impact. ISPC XIX - Book of abstracts. Bochum: UPAC, 2009. p. 317-317.Detail
BRITES, V.; CHAMBAUD, G.; HOCHLAF, M.; KOČIŠEK, J.; CAYAO, D.; MATĚJČÍK, Š.; KRČMA, F. Ionic Chemistry of Tetravinylsilane Cation (TVS+) Formed by Electron Impact: Theory and Experiment. JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A, 2009, vol. 113, no. 23, p. 6531-6536. ISSN: 1089-5639.Detail
STRUŽÍNSKÝ, O.; SAHÁNKOVÁ, H.; KRČMA, F.; CAYAO, D.; MATĚJČÍK, Š. Fragmentation of Tetravinylsilane by Electron Impact. Proceedings of ISPC XIX. Bochum: UPAC, 2009. p. 1850-1 (1850-4 p.)Detail