Fabrication of more complex graphene electronic devices requires the ability to modify and understand changes in the electronic structure of graphene. The focus of this project is to investigate doping effects of Ga, Al and H atoms on the graphene layer. To achieve this goal, ultra high vacuum measuring device will be designed and constructed. The custom made design will allow for measurement of graphene electrical properties during the deposition of atoms under various conditions (temperature, pressure, gases).

FSI/STI-J-17-4752

čeština

Piastek Jakub, Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Kormoš Lukáš, Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - spoluřešitel

Ústav fyzikálního inženýrství
- odpovědné pracoviště (2.10.2017 - nezadáno)
Středoevropský technologický institut VUT
- interní (1.1.2017 - 31.12.2017)
Ústav fyzikálního inženýrství
- interní (1.1.2017 - 31.12.2017)
Fakulta strojního inženýrství
- příjemce (1.1.2017 - 31.12.2017)

Odpovědnost: Piastek Jakub, Ing., Ph.D.