Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail projektu
Období řešení: 01.03.2017 — 28.02.2018
Zdroje financování
Vysoké učení technické v Brně - Vnitřní projekty VUT
- plně financující (2017-01-01 - 2018-12-31)
O projektu
Fabrication of more complex graphene electronic devices requires the ability to modify and understand changes in the electronic structure of graphene. The focus of this project is to investigate doping effects of Ga, Al and H atoms on the graphene layer. To achieve this goal, ultra high vacuum measuring device will be designed and constructed. The custom made design will allow for measurement of graphene electrical properties during the deposition of atoms under various conditions (temperature, pressure, gases).
Označení
FSI/STI-J-17-4752
Originální jazyk
čeština
Řešitelé
Piastek Jakub, Ing., Ph.D. - hlavní řešitelKormoš Lukáš, Ing., Ph.D. - spoluřešitelŠikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - spoluřešitel
Útvary
Ústav fyzikálního inženýrství- interní (01.01.2017 - 31.12.2017)Středoevropský technologický institut VUT- interní (01.01.2017 - 31.12.2017)Fakulta strojního inženýrství- příjemce (01.01.2017 - 31.12.2017)