Detail projektu
Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3
Období řešení: 1.6.2018 — 30.10.2018
Zdroje financování
Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje
O projektu
Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3
Klíčová slova
cryogenycs, noise
Označení
SR18857066
Originální jazyk
angličtina
Řešitelé
Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Majzner Jiří, Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Sobola Dinara, doc. Mgr., Ph.D. - spoluřešitel
Trčka Tomáš, Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Útvary
Ústav fyziky
- odpovědné pracoviště (30.10.2018 - nezadáno)
SCI LLC-a wholly owned subsidiary of ON Semiconductor
- objednatel (30.10.2018 - nezadáno)
oddělení-FYZ-SIX
- příjemce (30.10.2018 - nezadáno)
Výsledky
HOLCMAN, V.; MAJZNER, J.; TRČKA, T.; SOBOLA, D. Cryo Data Extraction STATEMENT OF WORK-The part #4. 2018. p. 1-85.
Detail
Odpovědnost: Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D.