Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail projektu
Období řešení: 01.06.2018 — 30.10.2018
Zdroje financování
Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje- plně financující (2018-05-01 - 2018-10-30)
O projektu
Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3
Klíčová slovacryogenycs, noise
Označení
SR18857066
Originální jazyk
angličtina
Řešitelé
Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitelMajzner Jiří, Ing., Ph.D. - spoluřešitelSobola Dinara, doc. Mgr., Ph.D. - spoluřešitelTrčka Tomáš, Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Útvary
Ústav fyziky- odpovědné pracoviště (30.10.2018 - nezadáno)SCI LLC-a wholly owned subsidiary of ON Semiconductor- objednatel (30.10.2018 - nezadáno)oddělení-FYZ-SIX- příjemce (30.10.2018 - nezadáno)
Výsledky
HOLCMAN, V.; MAJZNER, J.; TRČKA, T.; SOBOLA, D. Cryo Data Extraction STATEMENT OF WORK-The part #4. 2018. p. 1-85.Detail