Detail projektu
Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3
Období řešení: 1.4.2019 — 1.6.2019
Zdroje financování
Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje
O projektu
Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3
Klíčová slova
cryogenycs, noise
Označení
SR18957069
Originální jazyk
angličtina
Řešitelé
Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Útvary
Ústav fyziky
- odpovědné pracoviště (9.11.2020 - nezadáno)
SCI LLC-a wholly owned subsidiary of ON Semiconductor
- objednatel (9.11.2020 - nezadáno)
Ústav fyziky
- příjemce (9.11.2020 - nezadáno)
Odpovědnost: Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D.