Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
KOLKA, Z. BIOLEK, D. BIOLKOVÁ, V.
Originální název
Improved Model of TiO2 Memristor
Typ
článek v časopise ve Web of Science, Jimp
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
Analysis of Pickett model of the HP TiO2 memristor presented in this paper reveals an ambiguity of its Port Equation, which may cause non-convergence, numerical errors, and non-physical solutions during time-domain simulation. As there is no easy fix of the original model a new behavioral approximation of static I-V characteristics has been proposed. The approximation matches well the original model and is unambiguous.
Klíčová slova
TiO2 memristor, Port Equation, State Equation, Pickett model, simulation
Autoři
KOLKA, Z.; BIOLEK, D.; BIOLKOVÁ, V.
Rok RIV
2015
Vydáno
1. 6. 2015
Nakladatel
Společnost pro radiotechnické inženýrství
Místo
Brno
ISSN
1210-2512
Periodikum
Radioengineering
Ročník
24
Číslo
2
Stát
Česká republika
Strany od
378
Strany do
383
Strany počet
6
BibTex
@article{BUT115011, author="Zdeněk {Kolka} and Dalibor {Biolek} and Viera {Biolková}", title="Improved Model of TiO2 Memristor", journal="Radioengineering", year="2015", volume="24", number="2", pages="378--383", doi="10.13164/re.2015.0378", issn="1210-2512" }