Detail publikace

Improved Model of TiO2 Memristor

KOLKA, Z. BIOLEK, D. BIOLKOVÁ, V.

Originální název

Improved Model of TiO2 Memristor

Typ

článek v časopise ve Web of Science, Jimp

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

Analysis of Pickett model of the HP TiO2 memristor presented in this paper reveals an ambiguity of its Port Equation, which may cause non-convergence, numerical errors, and non-physical solutions during time-domain simulation. As there is no easy fix of the original model a new behavioral approximation of static I-V characteristics has been proposed. The approximation matches well the original model and is unambiguous.

Klíčová slova

TiO2 memristor, Port Equation, State Equation, Pickett model, simulation

Autoři

KOLKA, Z.; BIOLEK, D.; BIOLKOVÁ, V.

Rok RIV

2015

Vydáno

1. 6. 2015

Nakladatel

Společnost pro radiotechnické inženýrství

Místo

Brno

ISSN

1210-2512

Periodikum

Radioengineering

Ročník

24

Číslo

2

Stát

Česká republika

Strany od

378

Strany do

383

Strany počet

6

BibTex

@article{BUT115011,
  author="Zdeněk {Kolka} and Dalibor {Biolek} and Viera {Biolková}",
  title="Improved Model of TiO2 Memristor",
  journal="Radioengineering",
  year="2015",
  volume="24",
  number="2",
  pages="378--383",
  doi="10.13164/re.2015.0378",
  issn="1210-2512"
}