Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
SUTORÝ, T.
Originální název
MOS Capacitors
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
For economical reason, it is highly desirable to implement the analog part of mainly digital system on chip in standard CMOS process. The advantages are low cost and area requirements, the disadvantages are non-linear C-V characteristics and problems resulting from it. This paper describes possibilities of using standard MOSFET gate structure as capacitor.
Klíčová slova v angličtině
CMOS process, non-linear C-V characteristic, MOSFET gate, MOS capacitor.
Autoři
Rok RIV
2004
Vydáno
1. 1. 2004
Nakladatel
Ing. Zdeněk Novotný CSc., Ondráčkova 105, Brno
Místo
Brno
ISBN
80-214-2636-5
Kniha
Proceedings of the10th conference and competition Student EEICT 2004 Volume 3
Číslo edice
první
Strany od
684
Strany do
688
Strany počet
5
BibTex
@inproceedings{BUT14110, author="Tomáš {Sutorý}", title="MOS Capacitors", booktitle="Proceedings of the10th conference and competition Student EEICT 2004 Volume 3", year="2004", volume="první", number="první", pages="5", publisher="Ing. Zdeněk Novotný CSc., Ondráčkova 105, Brno", address="Brno", isbn="80-214-2636-5" }