Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
PAPEŽ, N.
Originální název
Morphological structure of solar cells based on silicon and gallium arsenide after ion etching
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
Study deals with the investigation of the surface after ion etching on two types of solar cells -- based on widely available polycrystalline silicon and on durable gallium arsenide for use in more demanding environments. Solar cell morphology was compared using an electron microscope together with an Energy Dispersive X-ray detector to show distribution ratios of elements. Atomic force microscopy was used to accurately describe the heights and roughness structure. Raman spectroscopy to study of vibrational properties and the stress investigations.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
RIE, GaAs, Si, ion bombardment, EDX, SEM, AFM
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Rok RIV
2019
Vydáno
26.04.2018
Místo
Brno
ISBN
978-80-214-5614-3
Kniha
Proceedings of the 24th Conference STUDENT EEICT 2018
Strany od
513
Strany do
517
Strany počet
5
URL
http://www.feec.vutbr.cz/EEICT/archiv/sborniky/EEICT_2018_sbornik.pdf
BibTex
@inproceedings{BUT147353, author="Nikola {Papež}", title="Morphological structure of solar cells based on silicon and gallium arsenide after ion etching", booktitle="Proceedings of the 24th Conference STUDENT EEICT 2018", year="2018", number="1", pages="513--517", address="Brno", isbn="978-80-214-5614-3", url="http://www.feec.vutbr.cz/EEICT/archiv/sborniky/EEICT_2018_sbornik.pdf" }