Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
Mohelský, I. Dubroka, A. Wyzula, J. Slobodeniuk, A. Martinez, G. Krupko, Y. Piot, B. A. Caha, O. Humlíček, J. Bauer, G. Springholz, G. Orlita, M.
Originální název
Landau level spectroscopy of Bi2Te3
Typ
článek v časopise ve Web of Science, Jimp
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
Here we report on Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T performed on a thin film of the topological insulator Bi2Te3 epitaxially grown on a BaF2 substrate. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches E-g = (175 +/- 5) meV at low temperatures and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either sixfold or twelvefold valley degeneracy. Interestingly, our magneto-optical data do not indicate any band inversion at the direct gap. This suggests that the fundamental band gap is relatively distant from the Gamma point where profound inversion exists and gives rise to the relativisticlike surface states of Bi2Te3.
Klíčová slova
BISMUTH TELLURIDE; TOPOLOGICAL INSULATORS; THERMOELECTRIC PROPERTIES; CONDUCTION ELECTRONS; OPTICAL-PROPERTIES; VALENCE-BAND; BI2SE3; SB2TE3; ABSORPTION; RESONANCE
Autoři
Mohelský, I.; Dubroka, A.; Wyzula, J.; Slobodeniuk, A.; Martinez, G.; Krupko, Y.; Piot, B. A.; Caha, O.; Humlíček, J.; Bauer, G.; Springholz, G.; Orlita, M.
Vydáno
7. 8. 2020
Nakladatel
AMER PHYSICAL SOC
Místo
COLLEGE PK
ISSN
1095-3795
Periodikum
Physical Review B
Ročník
102
Číslo
8
Stát
Spojené státy americké
Strany od
085201-1
Strany do
085201-11
Strany počet
11
URL
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.102.085201