Detail publikace

Určení obrazu funkce hustoty stavů dekonvolucí spektra koeficientu absorpce na struktuře a-Si:H

LUŇÁK, M.

Originální název

Určení obrazu funkce hustoty stavů dekonvolucí spektra koeficientu absorpce na struktuře a-Si:H

Anglický název

Study of the spectral dependence of absorption coefficient of field effect transistor structure based on a-Si:H

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

This entry presents a study of the spectral dependence of absorption coefficient of field effect transistor structure based on a-Si:H, with the use of constant photocurrent method. By application of the deconvolution algorithm to the spectral dependence of absorption coefficient, the shape of the function of density of states in the mobility gap for selection gate voltage has been obtained.

Anglický abstrakt

This entry presents a study of the spectral dependence of absorption coefficient of field effect transistor structure based on a-Si:H, with the use of constant photocurrent method. By application of the deconvolution algorithm to the spectral dependence of absorption coefficient, the shape of the function of density of states in the mobility gap for selection gate voltage has been obtained.

Klíčová slova v angličtině

a-Si:H constant photocurrent method deconvolution absorption coefficient mobility gap

Autoři

LUŇÁK, M.

Rok RIV

2006

Vydáno

29. 11. 2006

Místo

Brno

ISBN

80-7204-487-7

Kniha

Workshop NDT 2006 Non-Destructive Testing in Engineering Practice

Strany od

98

Strany do

103

Strany počet

6

BibTex

@inproceedings{BUT24626,
  author="Miroslav {Luňák}",
  title="Určení obrazu funkce hustoty stavů dekonvolucí spektra koeficientu absorpce na struktuře a-Si:H",
  booktitle="Workshop NDT 2006 Non-Destructive Testing in Engineering Practice",
  year="2006",
  pages="98--103",
  address="Brno",
  isbn="80-7204-487-7"
}