Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
RECMAN, M.
Originální název
Correlated NMOS Statistical Model
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
Monte-Carlo analysis of MOS circuits requires the generation of multiple sets of input parameters for the simulator's models. Since the model parameters can be highly correlated, the methods by which these input parameters are determined is critical for accurate results. The paper briefly reviews the principal techniques for the generation of MOSFET correlated model parameters and gives an example of statistical characterization of MOS2 model parameter VFB – flat band voltage which is used as an independent statistical model parameter. The comparison of correlated and uncorrelated models is presented.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
mos modelling, statistical modelling
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
01.01.2001
Nakladatel
Vyd. Ing. Zdeněk Novotný, Brno, 2001
Místo
Brno
ISBN
80-214-2027-8
Kniha
Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings, Crete 3 - 12, 2001. Edited by V. Musil and J. Brzobohaty
Strany od
282
Strany počet
8
BibTex
@inproceedings{BUT3944, author="Milan {Recman}", title="Correlated NMOS Statistical Model", booktitle="Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings, Crete 3 - 12, 2001. Edited by V. Musil and J. Brzobohaty", year="2001", pages="8", publisher="Vyd. Ing. Zdeněk Novotný, Brno, 2001 ", address="Brno", isbn="80-214-2027-8" }