Detail publikace

Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s

PAZDERA, L.

Originální název

Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s

Klíčová slova v angličtině

model, low-frequency noise , LDD MOSFET´s

Autoři

PAZDERA, L.

Vydáno

1. 1. 1997

ISSN

0741-3106

Periodikum

Electron device letters

Ročník

1997

Číslo

5

Stát

Spojené státy americké

Strany od

480

Strany do

482

Strany počet

3

BibTex

@article{BUT41385,
  author="Luboš {Pazdera}",
  title="Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s",
  journal="Electron device letters",
  year="1997",
  volume="1997",
  number="5",
  pages="3",
  issn="0741-3106"
}