Detail publikačního výsledku

Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature

ANDO, M., HASHIGUCHI, S., ŠIKULA, J., MATSUI, T.

Originální název

Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature

Anglický název

Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature

Druh

Článek recenzovaný mimo WoS a Scopus

Originální abstrakt

Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature

Anglický abstrakt

Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature

Klíčová slova v angličtině

Hooge parameter

Autoři

ANDO, M., HASHIGUCHI, S., ŠIKULA, J., MATSUI, T.

Vydáno

01.11.2000

ISSN

0026-2714

Periodikum

MICROELECTRONICS RELIABILITY

Svazek

40

Číslo

11

Stát

Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Strany od

1921

Strany počet

4

BibTex

@article{BUT44214,
  author="Munecazu {Tacano} and M. {Ando} and Sumihisa {Hashiguchi} and Josef {Šikula} and Toshiaki {Matsui}",
  title="Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature",
  journal="MICROELECTRONICS RELIABILITY",
  year="2000",
  volume="40",
  number="11",
  pages="4",
  issn="0026-2714"
}