Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
VOREL, P.
Originální název
Drivers for power transistors MOSFET a IGBT
Typ
článek v časopise - ostatní, Jost
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
This contribution describes a concrete construction of a driver for power transistors MOSFET and IGBT. A galvanic separation by high frequency transformers is used. A very low delay of the transferred switching signal was achieved with this construction. The most important advantage of the construction is the obtained high immunity to the du/dt voltage slope between the primary and secondary side of the driver.
Klíčová slova v angličtině
transistor MOSFET, transistor IGBT, power electronics, power converters, drivers for power switching transistors, galvanic separation
Autoři
Rok RIV
2004
Vydáno
1. 1. 2004
ISSN
1213-161X
Periodikum
ElectronicsLetters.com - http://www.electronicsletters.com
Ročník
Číslo
1/5
Stát
Česká republika
Strany od
1
Strany do
9
Strany počet
BibTex
@article{BUT45697, author="Pavel {Vorel}", title="Drivers for power transistors MOSFET a IGBT", journal="ElectronicsLetters.com - http://www.electronicsletters.com", year="2004", volume="2004", number="1/5", pages="9", issn="1213-161X" }