Detail publikačního výsledku

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

Dana Otevřelová

Originální název

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

Anglický název

Local spectroscopy of the semiconductor structure luminiscence

Druh

Článek recenzovaný mimo WoS a Scopus

Originální abstrakt

Článek pojednává o prostorovém rozlišení fotoluminiscence (PL) na vnořených samoorganizovaných kvantových tečkách. Pro rozlišení jednotlivých kvantových teček je použit rastrovací tunelový mikroskop v optickém blízkém poli (SNOM). Takto můžeme získat fotoluminiscenční obrazy skrytých kvantových děr s prostorovým rozlišením lepším než 250 nm. Výsledky jsou nezávislé na použité vlnové délce světelného zdroje. PL intenzita je hlavní složkou pro spojení nepokoveného vláknového hrotu s luminiscenční kvantovou dírou a má exponenciální úbytek se skenovací vzdáleností vzorku. Při vyhodnocování obrazu jsou oddělovány příspěvky PL intenzity blízkého a vzdáleného pole.

Anglický abstrakt

The paper deals with the spatial resolution of the photoluminescence on the burried quantum dots using SNOM. Due to this device on can obtain a resolution better than 250 nm. The results are wavelenght independent. During the study the contributions of far field and near field PL have been separated.

Klíčová slova v angličtině

local photoluminescence, burried quantum dots, near field optics

Autoři

Dana Otevřelová

Vydáno

01.02.2003

ISSN

0009-0700

Periodikum

Československý časopis pro fyziku

Svazek

53

Číslo

2

Stát

Česká republika

Strany od

117

Strany počet

3

BibTex

@article{BUT45707,
  author="Dana {Otevřelová}",
  title="Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur",
  journal="Československý časopis pro fyziku",
  year="2003",
  volume="53",
  number="2",
  pages="3",
  issn="0009-0700"
}