Detail publikace

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

Dana Otevřelová

Originální název

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

Anglický název

Local spectroscopy of the semiconductor structure luminiscence

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Článek pojednává o prostorovém rozlišení fotoluminiscence (PL) na vnořených samoorganizovaných kvantových tečkách. Pro rozlišení jednotlivých kvantových teček je použit rastrovací tunelový mikroskop v optickém blízkém poli (SNOM). Takto můžeme získat fotoluminiscenční obrazy skrytých kvantových děr s prostorovým rozlišením lepším než 250 nm. Výsledky jsou nezávislé na použité vlnové délce světelného zdroje. PL intenzita je hlavní složkou pro spojení nepokoveného vláknového hrotu s luminiscenční kvantovou dírou a má exponenciální úbytek se skenovací vzdáleností vzorku. Při vyhodnocování obrazu jsou oddělovány příspěvky PL intenzity blízkého a vzdáleného pole.

Anglický abstrakt

The paper deals with the spatial resolution of the photoluminescence on the burried quantum dots using SNOM. Due to this device on can obtain a resolution better than 250 nm. The results are wavelenght independent. During the study the contributions of far field and near field PL have been separated.

Klíčová slova v angličtině

local photoluminescence, burried quantum dots, near field optics

Autoři

Dana Otevřelová

Rok RIV

2004

Vydáno

1. 2. 2003

ISSN

0009-0700

Periodikum

Československý časopis pro fyziku

Ročník

53

Číslo

2

Stát

Česká republika

Strany od

117

Strany do

119

Strany počet

3

BibTex

@article{BUT45707,
  author="Dana {Otevřelová}",
  title="Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur",
  journal="Československý časopis pro fyziku",
  year="2003",
  volume="53",
  number="2",
  pages="3",
  issn="0009-0700"
}