Detail publikace

Failure model of MOS transistors

PASZ, R., MUSIL, V.

Originální název

Failure model of MOS transistors

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

Effects of gate-oxide failures on the operation of MOS transistor and describes the models of gate-oxide shorts (GOS) in n-channel and p-channel MOS transistors and simulation of circuits with these models.

Klíčová slova

Diagnostics, failure models, MOS transistors.

Autoři

PASZ, R., MUSIL, V.

Rok RIV

2003

Vydáno

1. 9. 2003

Nakladatel

Nakl. Ing. Z. Novotný

Místo

Brno

ISBN

80-214-2452-4

Kniha

Proceedings of EDS 2003 Electronic Devices and Systems Conference

Číslo edice

první

Strany od

234

Strany do

238

Strany počet

5

BibTex

@inproceedings{BUT9589,
  author="Robert {Pasz} and Vladislav {Musil}",
  title="Failure model of MOS transistors",
  booktitle="Proceedings of EDS 2003 Electronic Devices and Systems Conference",
  year="2003",
  number="první",
  pages="5",
  publisher="Nakl. Ing. Z. Novotný",
  address="Brno",
  isbn="80-214-2452-4"
}