Detail publikace

Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison

ŠIKULA, J. HLÁVKA, J. SEDLÁKOVÁ, V. HÖSCHEL, P. GRILL, R. SITA, Z. ZEDNÍČEK, T. TACANO, M.

Originální název

Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

An analysis of charge carrier transport and charge storage in NbO and Ta capacitors was performed. An aim of this paer is to characterise the active region quality of NbO and Ta capacitors.

Klíčová slova

Capacitor, NbO, Ta, MIS

Autoři

ŠIKULA, J.; HLÁVKA, J.; SEDLÁKOVÁ, V.; HÖSCHEL, P.; GRILL, R.; SITA, Z.; ZEDNÍČEK, T.; TACANO, M.

Rok RIV

2005

Vydáno

1. 1. 2005

ISSN

0887-7491

Periodikum

Capacitor and Resistor Technology

Ročník

2005

Číslo

3

Stát

Spojené státy americké

Strany od

244

Strany do

248

Strany počet

5

BibTex

@inproceedings{BUT31370,
  author="Josef {Šikula} and Jan {Hlávka} and Vlasta {Sedláková} and Pavel {Höschel} and Roman {Grill} and Zdeněk {Sita} and Tomáš {Zedníček} and Munecazu {Tacano}",
  title="Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison",
  booktitle="25th Capacitor and Resistor Technology Symposium",
  year="2005",
  journal="Capacitor and Resistor Technology",
  volume="2005",
  number="3",
  pages="5",
  issn="0887-7491"
}