Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
ŠIKULA, J., PAVELKA, J., HLÁVKA, J., SEDLÁKOVÁ, V., GRMELA, L., TACANO, M., HASHIGUCHI, S.
Originální název
The Tantalum Capacitor as a MIS Structure in Reverse Mode
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
The charge carrier transport mechanisms in a tantalum capacitor are discussed and VA characteristics both in normal and reverse mode are explained on the basis of metal (Ta) - insulator (Ta2O5) - semiconductor (MnO2) MIS structure model. The leakage current temperature dependencies were measured to determine energy band parameters.
Klíčová slova v angličtině
tantalum capacitor, MIS structure, leakage current
Autoři
Rok RIV
2001
Vydáno
1. 1. 2001
Nakladatel
Components Technology Institute, Inc.
Místo
Huntsville, Alabama, USA
ISBN
0887-7491
Kniha
Proceedings of 21st Capacitor and Resistor technology Symposium CARTS US 2001
Strany od
289
Strany do
292
Strany počet
4
BibTex
@inproceedings{BUT6872, author="Josef {Šikula} and Jan {Pavelka} and Jan {Hlávka} and Vlasta {Sedláková} and Lubomír {Grmela} and Munecazu {Tacano} and Sumihisa {Hashiguchi}", title="The Tantalum Capacitor as a MIS Structure in Reverse Mode", booktitle="Proceedings of 21st Capacitor and Resistor technology Symposium CARTS US 2001", year="2001", pages="4", publisher="Components Technology Institute, Inc.", address="Huntsville, Alabama, USA", isbn="0887-7491" }