Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Project detail
Duration: 01.01.2002 — 31.12.2004
Funding resources
Czech Science Foundation - Standardní projekty
- whole funder (2002-01-01 - 2004-12-31)
On the project
Předkládaný projekt navrhuje studium ultratenkých multivrstev s celkovou tloušťkou pod 10 nm pomocí komplementárního použití dvou nedestruktivních analytických metod, a to úhlově selektivní fotoelektronové spektroskopie (AR XPS) a optické reflexe rtg. záření (XRR). Zatímco XRR se stala populární metodou v analýze multivrstev, AR XPS nebyla dosud použita pro hloubkové profilování v této oblasti. Aby se zvýšilo hloubkové rozlišení AR XPS (což je potřebné pro analýzu multivrstev), bude použita pro dekonvoluci hloubkového profilu chem. složení metoda založená na principu maximální entropie analyzovaných dat. Tato metoda umožňuje získávat profily i z velmi slabých signálů a není omezena malým počtem prvků, jejichž profily chceme získat. Použitím těchto dvou analytických metod se může výrazně zvýšit přesnost analýzy. To platí zvláště v případě materiálů, jejichž atomy vzájemně chemicky reagují v oblasti rozhraní a tvoří složité chemické sloučeniny a struktury.
Description in EnglishThe project proposal suggests to study multilayers of ultra-thin films with an overall thickness below 10 nm by two complementary non-destructive techniques, such as Angle Resolved XPS (AR XPS) and X-ray Optical Reflectivity (XRR). While the latter technique has already become popular in analysis of multilayers, until now AR XPS has not been used yet in depth profiling of multilayers. To improve depth resolution accuracy of AR XPS (needed for multilayer analysis), a maximum entropy method which is robust to experimental noise and not restricted to small numbers of components will be used for deconvolution of composition depth profiles of multilayers. Applying these two complementary experimental methods, the accuracy of the analysis might be significantly improved. This is especially true for materials, atoms of which chemically react in the area of interfaces and form complex chemical compounds and structures. In the case of successful implementation of this novel approach, geometrical and
Mark
GA202/02/0767
Default language
Czech
People responsible
Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - principal person responsible
Units
Institute of Physical Engineering- beneficiary (2002-11-28 - not assigned)
Results
VOBORNÝ, S., KOLÍBAL, M., MACH, J., ČECHAL, J., BÁBOR, P., PRŮŠA, S., SPOUSTA, J., ŠIKOLA, T. Deposition and in situ characterization of ultra-thin films. In EVC'03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 45 ( p.)Detail
VAIS, J.; ŽENÍŠEK, J.; MRÁZ, M.; DITTRICHOVÁ, L.; SPOUSTA, J.; RAFAJA, D.; ŠIKOLA, T. Deposition of Cobalt Nitride Films by IBAD. In EVC 03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 116 ( p.)Detail
PRŮŠA, S., KOLÍBAL, M., BÁBOR, P., MACH, J., JURKOVIČ, P., ŠIKOLA, T. Analysis of thin films by TOF LEIS. In EVC'03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 133 ( p.)Detail
KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., BÁBOR, P., BAUER, P., ŠIKOLA, T. TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111). In ECOSS 22 CD. Praha: FÚ AV ČR, 2003. p. 0 ( p.)Detail
BÁBOR, P., KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T. Application of a simple imaging system in SIMS and TOF LEIS. In ECOSS 22 CD. Praha: FÚ AV ČR, 2003. p. 0 ( p.)Detail
URBÁNEK, M., SPOUSTA, J., NAVRÁTIL, K., FIEDOR, M., CHMELÍK, R., BUČEK, M., ŠIKOLA, T. Instrument for Thin Films Diagnostics by UV Spectroscopic Reflectometry. In ECASIA '03 Book of abstracts. Berlin: ECASIA, 2003. p. 284 ( p.)Detail
BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T. Zobrazení iontovým svazkem a 2D SIMS. Jemná mechanika a optika, 2003, roč. 48, č. 6, s. 178 ( s.)ISSN: 0447-6441.Detail
VAIS, J., ŽENÍŠEK, J., JURKOVIČ, P., ČECHAL, J., DITTRICHOVÁ, L., SPOUSTA, J., BOCHNÍČEK, Z., ŠIKOLA, T. Interface and depth profile analysis of magnetic ultrathin films. In ECASIA 10 Book of Abstracts. Berlin: ECASIA, 2003. p. 226 ( p.)Detail
BÁBOR, P. Hloubkové profilování a 2D SIMS – současný stav. In Zpravodaj CVS 11(2). Praha: CVS, 2003. s. 23 ( s.)Detail
ŠIKOLA, T. Nanotechnologie - vize či skutečnost?. Československý časopis pro fyziku, 2003, roč. 53, č. 2, s. 70 ( s.)ISSN: 0009-0700.Detail
KALOUSEK, R., ŠKODA, D., LOPOUR, F., ŠIKOLA, T. Simulace zobrazení povrchů pomocí bezkontaktní metody AFM. Československý časopis pro fyziku, 2003, roč. 53, č. 2, s. 89 ( s.)ISSN: 0009-0700.Detail
ŠKODA, D., LOPOUR, F., KALOUSEK, R., BURIAN, D., SPOUSTA, J., MATĚJKA, F., ŠIKOLA, T. Aplikace AFM v oblasti přípravy a studia nanostruktur. Československý časopis pro fyziku, 2003, roč. 53, č. 2, s. 105 ( s.)ISSN: 0009-0700.Detail
ČECHAL, J., TICHOPÁDEK, P., NEBOJSA, A., BONAVENTUROVÁ - ZRZAVECKÁ, O., URBÁNEK, M., NAVRÁTIL, K., ŠIKOLA, T. In-situ analysis of PMPSI by spectroscopic ellipsometry and XPS. In ECASIA 10 Book of Abstracts. Berlin: ECASIA, 2003. p. 226 ( p.)Detail