Detail projektu

Studium ultratenkých vrstev užitím fotoelektronové spektroskopie a optické reflexe rtg. záření

Období řešení: 01.01.2002 — 31.12.2004

Zdroje financování

Grantová agentura České republiky - Standardní projekty

- plně financující (2002-01-01 - 2004-12-31)

O projektu

Předkládaný projekt navrhuje studium ultratenkých multivrstev s celkovou tloušťkou pod 10 nm pomocí komplementárního použití dvou nedestruktivních analytických metod, a to úhlově selektivní fotoelektronové spektroskopie (AR XPS) a optické reflexe rtg. záření (XRR). Zatímco XRR se stala populární metodou v analýze multivrstev, AR XPS nebyla dosud použita pro hloubkové profilování v této oblasti. Aby se zvýšilo hloubkové rozlišení AR XPS (což je potřebné pro analýzu multivrstev), bude použita pro dekonvoluci hloubkového profilu chem. složení metoda založená na principu maximální entropie analyzovaných dat. Tato metoda umožňuje získávat profily i z velmi slabých signálů a není omezena malým počtem prvků, jejichž profily chceme získat. Použitím těchto dvou analytických metod se může výrazně zvýšit přesnost analýzy. To platí zvláště v případě materiálů, jejichž atomy vzájemně chemicky reagují v oblasti rozhraní a tvoří složité chemické sloučeniny a struktury.

Popis anglicky
The project proposal suggests to study multilayers of ultra-thin films with an overall thickness below 10 nm by two complementary non-destructive techniques, such as Angle Resolved XPS (AR XPS) and X-ray Optical Reflectivity (XRR). While the latter technique has already become popular in analysis of multilayers, until now AR XPS has not been used yet in depth profiling of multilayers. To improve depth resolution accuracy of AR XPS (needed for multilayer analysis), a maximum entropy method which is robust to experimental noise and not restricted to small numbers of components will be used for deconvolution of composition depth profiles of multilayers. Applying these two complementary experimental methods, the accuracy of the analysis might be significantly improved. This is especially true for materials, atoms of which chemically react in the area of interfaces and form complex chemical compounds and structures. In the case of successful implementation of this novel approach, geometrical and

Označení

GA202/02/0767

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - hlavní řešitel

Útvary

Ústav fyzikálního inženýrství
- příjemce (28.11.2002 - nezadáno)

Výsledky

VOBORNÝ, S., KOLÍBAL, M., MACH, J., ČECHAL, J., BÁBOR, P., PRŮŠA, S., SPOUSTA, J., ŠIKOLA, T. Deposition and in situ characterization of ultra-thin films. In EVC'03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 45 ( p.)
Detail

VAIS, J.; ŽENÍŠEK, J.; MRÁZ, M.; DITTRICHOVÁ, L.; SPOUSTA, J.; RAFAJA, D.; ŠIKOLA, T. Deposition of Cobalt Nitride Films by IBAD. In EVC 03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 116 ( p.)
Detail

PRŮŠA, S., KOLÍBAL, M., BÁBOR, P., MACH, J., JURKOVIČ, P., ŠIKOLA, T. Analysis of thin films by TOF LEIS. In EVC'03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 133 ( p.)
Detail

KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., BÁBOR, P., BAUER, P., ŠIKOLA, T. TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111). In ECOSS 22 CD. Praha: FÚ AV ČR, 2003. p. 0 ( p.)
Detail

BÁBOR, P., KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T. Application of a simple imaging system in SIMS and TOF LEIS. In ECOSS 22 CD. Praha: FÚ AV ČR, 2003. p. 0 ( p.)
Detail

URBÁNEK, M., SPOUSTA, J., NAVRÁTIL, K., FIEDOR, M., CHMELÍK, R., BUČEK, M., ŠIKOLA, T. Instrument for Thin Films Diagnostics by UV Spectroscopic Reflectometry. In ECASIA '03 Book of abstracts. Berlin: ECASIA, 2003. p. 284 ( p.)
Detail

BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T. Zobrazení iontovým svazkem a 2D SIMS. Jemná mechanika a optika, 2003, roč. 48, č. 6, s. 178 ( s.)ISSN: 0447-6441.
Detail

VAIS, J., ŽENÍŠEK, J., JURKOVIČ, P., ČECHAL, J., DITTRICHOVÁ, L., SPOUSTA, J., BOCHNÍČEK, Z., ŠIKOLA, T. Interface and depth profile analysis of magnetic ultrathin films. In ECASIA 10 Book of Abstracts. Berlin: ECASIA, 2003. p. 226 ( p.)
Detail

BÁBOR, P. Hloubkové profilování a 2D SIMS – současný stav. In Zpravodaj CVS 11(2). Praha: CVS, 2003. s. 23 ( s.)
Detail

ŠIKOLA, T. Nanotechnologie - vize či skutečnost?. Československý časopis pro fyziku, 2003, roč. 53, č. 2, s. 70 ( s.)ISSN: 0009-0700.
Detail

KALOUSEK, R., ŠKODA, D., LOPOUR, F., ŠIKOLA, T. Simulace zobrazení povrchů pomocí bezkontaktní metody AFM. Československý časopis pro fyziku, 2003, roč. 53, č. 2, s. 89 ( s.)ISSN: 0009-0700.
Detail

ŠKODA, D., LOPOUR, F., KALOUSEK, R., BURIAN, D., SPOUSTA, J., MATĚJKA, F., ŠIKOLA, T. Aplikace AFM v oblasti přípravy a studia nanostruktur. Československý časopis pro fyziku, 2003, roč. 53, č. 2, s. 105 ( s.)ISSN: 0009-0700.
Detail

ČECHAL, J., TICHOPÁDEK, P., NEBOJSA, A., BONAVENTUROVÁ - ZRZAVECKÁ, O., URBÁNEK, M., NAVRÁTIL, K., ŠIKOLA, T. In-situ analysis of PMPSI by spectroscopic ellipsometry and XPS. In ECASIA 10 Book of Abstracts. Berlin: ECASIA, 2003. p. 226 ( p.)
Detail

Odpovědnost: Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc.