Cílem projektu je na základě studia nízkofrekvenčního šumu přispět ke zvýšení poměru signál/šum submikronových MOSFET a HEMT struktur. Provedeme podrobnou analýzu parametrů 1/f a RTS šumu v závislosti na intenzitě elektrického pole v podélném a příčném směru. Ve spolupráci s výrobci vzorků Asahi Kasei (MOSFET) a CRL (HEMT) budeme vyhodnocovat závislost nízkofrekvenčního šumu na geometrii, technologii výroby a přípravy oxidové vrstvy s cílem určit zdroje šumu a jejich lokalizaci. Bude upraven model RTS šumu vycházející z Kolomogorovových rovnic, popisující dvourozměrný g-r proces tak, aby se objasnily doby setrvání RTS šumu v obou stavech. Vliv elektronového plynu nízké dimenze na 1/f šum bude zkoumán ve strukturách s vysokou pohyblivostí nosičů na bázi ternárních sloučenin InGaAs/InAlAs.

Description in English
The objective of this project is to achieve higher signal/noise ratio in submicron MOSFET and HEMT structures on the basis of low-frequency noise parameters assessment. We will thoroughly analyze the dependence of 1/f and RTS noise on longitudinal and transversal electric field intensity. In co-operation with sample producers Asahi Kasei (MOSFET) and CRL (HEMT) we will evaluate the dependence of low-frequency noise on sample geometry, technology and oxide layer preparation in order to determine noise sources and their localization. RTS noise capture and emission time constants will be explained using enhanced model of two-dimensional g-r process, based on Kolmogorov equation. The influence of low dimensional electron gas on 1/f noise will be analyzed in InGaAs/InAlAs heterostructures and similar high mobility devices.