Keywords
Electron beam lithography;Scanning electron microscopy;Scanning probe microscopy;Ultra high vacuum;Nanofabrication;Functional properties of nanostructures;Semiconductors

Key words in English
Electron beam lithography, Scanning electron microscopy, Scanning probe microscopy, Ultra high vacuum, Nanofabrication, Functional properties of nanostructures, Semiconductors

TE01020233

Czech

Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - principal person responsible

Institute of Physical Engineering
- responsible department (1.3.2012 - not assigned)
Institute of Physical Engineering
- beneficiary (1.3.2012 - 31.12.2019)

NEZVAL, D.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; ŠVARC, V.; KONEČNÝ, M.; PIASTEK, J.; ŠPAČEK, O.; ŠIKOLA, T. DFT study of water on graphene: Synergistic effect of multilayer p-doping. Journal of Chemical Physics, 2023, vol. 159, no. 21, ISSN: 1089-7690.
Detail

HOŠEK, M.; ŘEŘUCHA, Š.; PRAVDOVÁ, L.; ČÍŽEK, M.; HRABINA, J.; ČÍP, O. Investigating The Use Of The Hydrogen Cyanide (HCN) As An Absorption Media For Laser Spectroscopy. In 21st Czech-Polish-Slovak Optical Conference on Wave and Quantum Aspects of Contemporary Optics. BELLINGHAM: SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING, 2019. ISBN: 9781510626089.
Detail

BABOCKÝ, J.; DVOŘÁKOVÁ, H.; FIALA, J.; HRABOVSKÝ, M.; LÁZNIČKA, J.; LOPOUR, F.; MAŇÁSEK, J.; MARŠÍK, J.; ČÍŽEK, M.; HOLÁ, M.; LAZAR, J.; ŘEŘUCHA, Š.; ŠIKOLA, T.: Lithograph L1000; Funkční prototyp elektronového litografu o energii 80 keV. TESCAN Brno s.r.o.. (prototyp)
Detail

DOLEŽEL, P.; LOPOUR, F.; PLACHÝ, L.; SKLADANÝ, R.; ZIGO, J.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.: Functional prototype of a UHV SEM/SPM; Funkční prototyp aparatury UHV SEM/SPM. TESCAN Brno s.r.o.. (prototyp)
Detail

PRŮŠA, S.; BÁBÍK, P.; ŠIKOLA, T.; BRONGERSMA, H. Quantitative analysis of calcium and fluorine by high-sensitivity low-energy ion scattering: Calcium fluoride. Surface and Interface Analysis, 2020, vol. 52, no. 1, p. 1000-1003. ISSN: 0142-2421.
Detail

UHLÍŘ, V.; PRESSACCO, F.; ARREGI URIBEETXEBARRIA, J.; PROCHÁZKA, P.; PRŮŠA, S.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T.; ČECHAL, J.; BENDOUNAN, A.; SIROTTI, F. Single-layer graphene on epitaxial FeRh thin films. Applied Surface Science, 2020, vol. 514, no. 1, p. 145923-1 (145923-7 p.)ISSN: 0169-4332.
Detail

MACH, J.: Měřící hlava studené emise; Měřicí hlava druhé generace pro měření studené emise elektronů. Laboratoř povrchů a tenkých vrstev, Technická 2, A2/518. (funkční vzorek)
Detail

MACH, J.: Efuzní atomární zdroj pro UHV SEM; Efuzní atomární zdroj pro UHV SEM zařízení. Laboratoř povrchů a tenkých vrstev, Technická 2, A2/518. (funkční vzorek)
Detail

MACH, J.; PIASTEK, J.; MANIŠ, J.; ČALKOVSKÝ, V.; ŠAMOŘIL, T.; FLAJŠMANOVÁ, J.; BARTOŠÍK, M.; VOBORNÝ, S.; KONEČNÝ, M.; ŠIKOLA, T. Low temperature selective growth of GaN single crystals on pre-patterned Si substrates. Applied Surface Science, 2019, vol. 497, no. 143705, p. 1-7. ISSN: 0169-4332.
Detail

BOUCHAL, P.; DVOŘÁK, P.; BABOCKÝ, J.; BOUCHAL, Z.; LIGMAJER, F.; HRTOŇ, M.; KŘÁPEK, V.; FAßBENDER, A.; LINDEN, S.; CHMELÍK, R.; ŠIKOLA, T. Kvantitativní fázové měření plazmonických metapovrchů pomocí geometricko-fázové holografické mikroskopie. Jemná mechanika a optika, 2019, roč. 64, č. 4, s. 95-98. ISSN: 0447-6441.
Detail

NOVÁK, T.; KOSTELNÍK, P.; KONEČNÝ, M.; ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; ŠIKOLA, T. Temperature effect on Al predose and AlN nucleation affecting the buffer layer performance for the GaN-on-Si based high-voltage devices. Japanese Journal of Applied Physics, 2019, vol. 58, no. SC, p. SC1018-1 (SC1018-9 p.)ISSN: 0021-4922.
Detail

BOUCHAL, P.; DVOŘÁK, P.; BABOCKÝ, J.; BOUCHAL, Z.; LIGMAJER, F.; HRTOŇ, M.; KŘÁPEK, V.; FAßBENDER, A.; LINDEN, S.; CHMELÍK, R.; ŠIKOLA, T. High-Resolution Quantitative Phase Imaging of Plasmonic Metasurfaces with Sensitivity down to a Single Nanoantenna. NANO LETTERS, 2019, vol. 19, no. 2, p. 1242-1250. ISSN: 1530-6984.
Detail

HOLEŇÁK, R.; SPUSTA, T.; POTOČEK, M.; SALAMON, D.; ŠIKOLA, T.; BÁBOR, P. 3D localization of spinel (MgAl2O4) and sodium contamination in alumina by TOF-SIMS. MATERIALS CHARACTERIZATION, 2019, vol. 148, no. 1, p. 252-258. ISSN: 1044-5803.
Detail

AMEEN POYLI, M.; HRTOŇ, M.; NECHAEV, I.; NIKITIN, A.; ECHENIQUE, P.; SILKIN, V.; AIZPURUA, J.; ESTEBAN, R. Controlling surface charge and spin density oscillations by Dirac plasmon interaction in thin topological insulators. PHYSICAL REVIEW B, 2018, vol. 97, no. 11, p. 115420-1 (115420-14 p.)ISSN: 2469-9950.
Detail

KONEČNÝ, M.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; ŠVARC, V.; NEZVAL, D.; PIASTEK, J.; PROCHÁZKA, P.; CAHLÍK, A.; ŠIKOLA, T. Kelvin Probe Force Microscopy and Calculation of Charge Transport in a Graphene/Silicon Dioxide System at Different Relative Humidity. ACS APPL MATER INTER, 2018, vol. 10, no. 14, p. 11987-11994. ISSN: 1944-8244.
Detail

ŠIK, O.; BÁBOR, P.; POLČÁK, J.; BELAS, E.; MORAVEC, P.; GRMELA, L.; STANĚK, J. Low Energy Ion Scattering as a depth profiling tool for thin layers - Case of bromine Methanol etched CdTe. Vacuum, 2018, no. 152, p. 138-144. ISSN: 0042-207X.
Detail

HRTOŇ, M.; KŘÁPEK, V.; ŠIKOLA, T. Boundary element method for 2D materials and thin films. OPTICS EXPRESS, 2017, vol. 25, no. 20, p. 23709-23724. ISSN: 1094-4087.
Detail

MACH, J.; PROCHÁZKA, P.; BARTOŠÍK, M.; NEZVAL, D.; PIASTEK, J.; HULVA, J.; ŠVARC, V.; KONEČNÝ, M.; KORMOŠ, L.; ŠIKOLA, T. Electronic transport properties of graphene doped by gallium. NANOTECHNOLOGY, 2017, vol. 28, no. 41, p. 1-10. ISSN: 0957-4484.
Detail

ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T. Flexible foils formed by a prolonged electron beam irradiation in scanning electron microscope. Applied Surface Science, 2017, vol. 423, no. 1, p. 538-541. ISSN: 0169-4332.
Detail

DVOŘÁK, P.; ÉDES, Z.; KVAPIL, M.; ŠAMOŘIL, T.; LIGMAJER, F.; HRTOŇ, M.; KALOUSEK, R.; KŘÁPEK, V.; DUB, P.; SPOUSTA, J.; VARGA, P.; ŠIKOLA, T. Imaging of near-field interference patterns by a-SNOM – influence of illumination wavelength and polarization state. OPTICS EXPRESS, 2017, vol. 25, no. 14, p. 16560-16573. ISSN: 1094-4087.
Detail

Responsibility: Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc.