čeština

Cílem přednášky je objasnit důležité jevy současné fyziky polovodičových rozhraní a nanostruktur s pomocí adekvátních fyzikálních nástrojů - kvantové a statistické fyziky.

Prerekvizitou je absolvování magisterského studia FEKT či obdobého zaměření.

Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT.

0-20 b projekt
0-80 b závěrečná zkouška

1.Rozhraní v polovodičích. Homogenní a heterogenní přechody v polovodičích. Poissonova rovnice.
2. Rozhraní polovodič-kov. Rozložení náboje a potenciálu na rozhraní. Vyčerpaná oblast, kapacita, frekvenční závislost. Transport nosičů přes rozhraní.
3. Rozhraní polovodič-izolant. Rozložení náboje a potenciálu na rozhraní. Vyčerpaná oblast, kapacita, frekvenční závislost. Transport nosičů přes rozhraní.
4. Polovodičové struktury vyráběné současnými technologiemi. Kvantové efekty v polovodičových strukturách.
5. Stochatické jevy. Šum v polovodičích. Fyzikální meze s hlediska kvantové a statistické fyziky.
6. Analýza elektronových pastí.
7. Základní nanostruktury. Interakce v blízkém poli. Detekce a lokalizace nanostruktur.
8. Základy nanooptiky.
9. Optické a elektrické vlastnosti nanočástic.
10. Návrh a modelování nanofotonických a nanoelektronických komponent a systémů.
11. Fotonické krystaly. Plasmonika.
12. Aplikace nanotechnologií: Lékařské a biotechnologické obory,
13. Nanoelektronika, Molekulární elektronika.

Cílem přednášky je objasnit důležité jevy současné fyziky polovodičových rozhraní a nanostruktur s pomocí adekvátních fyzikálních nástrojů - kvantové a statistické fyziky.