Tento projekt byl spolufinancován se státní podporou Technologické agentury ČR v rámci Programu na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)
www.tacr.cz
Výzkum užitečný pro společnost.

Detail projektu

Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu

Období řešení: 01.01.2018 — 31.12.2020

Zdroje financování

Technologická agentura ČR - Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)

- plně financující (2017-12-20 - 2020-12-31)

O projektu

Popis anglicky
The aim of the project is to develop proprietary bulk crystal growth technology for semiconductor materials with a wide band gap, to develop technology for manufacturing of substrates of 150 mm diameter for semiconductor applications and to develop corresponding methods of crystal and substrates characterization. The world's leading advanced technology will be achieved through effective collaboration between industrial and academic research and development.

Klíčová slova anglicky
Silicon, Carbide, Crystal, Substrate, Semiconductor, PVT

Označení

TH03020005

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Kolíbal Miroslav, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Čechal Jan, prof. Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Mach Jindřich, doc. Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Voborný Stanislav, Ing., Ph.D. - spoluřešitel

Útvary

Příprava a charakterizace nanostruktur
- příjemce (15.05.2017 - nezadáno)

Výsledky

KOLÍBAL, M.; BÁBOR, P.; LIGMAJER, F.; KOVAŘÍK, M.; POTOČEK, M.: zdroj atomárního vodíku pro SEM; Analýzy povrchů polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu a kvantitativní analýza dopantů. Purkyňova 123, Brno 61200, budova C, laboratore cistych prostor. URL: http://nano.ceitec.cz/. (ostatní)
Detail

Odpovědnost: Kolíbal Miroslav, doc. Ing., Ph.D.