Patenty

• 2018

  patent
  KHATEB, F.; VLASSIS, S.; KULEJ, T.; SOULIOTIS, G.; VUT v Brně.: Bulk-driven napěťový atenuátor. 307308, patent. (2018)
  Detail

• 2016

  patent
  KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový bulk-driven kruhový zesilovač pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 306418, patent. (2016)
  Detail

  patent
  KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím. 306242, patent. (2016)
  Detail

  užitný vzor
  KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový bulk-driven kruhový zesilovač pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 29339, užitný vzor. (2016)
  Detail

  užitný vzor
  KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím. 29053, užitný vzor. (2016)
  Detail

• 2014

  patent
  KHATEB, F.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 304766, patent. (2014)
  Detail

• 2013

  patent
  KHATEB, F.; KHATIB, N.; Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ: Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody. 303698, patent. (2013)
  Detail

• 2011

  užitný vzor
  KHATEB, F.; KHATIB, N.; Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ: Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody. 23091, užitný vzor. Brno (2011)
  Detail