Tento projekt byl spolufinancován se státní podporou Technologické agentury ČR v rámci Programu na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)
www.tacr.cz
Výzkum užitečný pro společnost.

Detail projektu

Experimentální vývoj MOCVD aparatur pro vysokoteplotní růst A(III)B(V) polovodičů a aplikovaný výzkum růstu metal-nitridových epitaxních tenkých vrstev

Období řešení: 01.01.2017 — 31.12.2019

Zdroje financování

Technologická agentura ČR - Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)

- plně financující (2017-01-01 - 2019-12-31)

O projektu

V rámci projektu dojde k vývoji koncepce pro konstrukci vysokoteplotních MOCVD reaktorů malé a střední velikosti a ověření jejich funkčnosti pro epitaxní růst metal-nitridových vrstev. Navrhovaný projekt se zaměřuje na cílenou optimalizace parametrů reaktoru pro růst kvalitních (nedefektních) vrstev A(III)B(V) polovodičů určených např. pro aplikace v senzorice. Úspěšným vyřešením zadaných cílů se dosáhne jak zvýšení konkurenceschopnosti ČR v oblasti pokročilých materiálů založených na A(III)B(V) polovodičích, ale i k využití nanotechnologií pro výsledné aplikace (senzorika, fotonika, bolometrický jev apod.). Využití nanomateriálů a nanotechnologií je podpořeno zapojení silného partnera v oblasti VaV - VUT Brno a infrastruktury CEITEC.

Popis anglicky
- development of MOCVD epitaxial growth apparatus for A(III)B(V) layers on substrates up to 100 mm diameter - testing of MOCVD epitaxial growth of indium-nitride layers using the existing "low temperature" MOCVD apparatus in CEITEC-VUT substrates up to 100 mm diameter - high-temperature MOCVD reactor design optimization based on specific metal-nitride layers growth(GaN, AlN, InN) to - development of applications in the field of optical structures and sensors - development of MOCVD epitaxial growth apparatus for A(III)B(V) layers on substrates up to 250 mm diameter - optimization of the MOCVD reactor design based on A(III)B(V) epitaxial layers growth with the substrates diameter up to 250 mm

Klíčová slova
MOCVD technologie; epitaxní růst vrstev; fluidně dynamické modelování; polovodičová výroba; senzorika; GaN; AlN; InN

Klíčová slova anglicky
MOCVD technology, epitaxial growth, fluid-dynamic modelling, semiconductor processing, senzory application, GaN, AlN, InN

Označení

TH02020926

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Hubálek Jaromír, prof. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - spoluřešitel

Útvary

Chytré nanonástroje
- příjemce (01.01.2017 - nezadáno)

Výsledky

HUBÁLEK, J.; ŠIK, O.; MÜNZ, F.; VOBORNÝ, S.; GABLECH, I.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, Veveří, CZ: Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření. 33879, užitný vzor. (2020)
Detail

ŠIK, O.; VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; HUBÁLEK, J.: GaN MOCVD; Epitaxní vrstva GaN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=141. (funkční vzorek)
Detail

VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; KOLÍBAL, M.: GaN-Ag; Metal-nitridová vrstva s plazmonickou optickou strukturou. Laboratoř povrchů a tenkých vrstev, Technická 2, A2-518. URL: http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2019-gan/. (funkční vzorek)
Detail

ŠIK, O.; MÜNZ, F.; VOBORNÝ, S.; HUBÁLEK, J.: InN MOCVD; Epitaxní vrstva InN nadeponovaná nízkoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=140. (funkční vzorek)
Detail

ŠIK, O.; VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; HUBÁLEK, J.: GaN MOCVD; Epitaxní vrstva AlN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=142. (funkční vzorek)
Detail

Odpovědnost: Hubálek Jaromír, prof. Ing., Ph.D.