This project was co-financed with state support of the CR Technological Agency as part of Programu na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)
www.tacr.cz
Research useful for society.

Project detail

Experimental development of MOCVD apparatus for high temperature growth of A(III)B(V) semiconductors and applied research of metal-nitrides epitaxial thin film growth

Duration: 01.01.2017 — 31.12.2019

Funding resources

Technologická agentura ČR - Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)

- whole funder (2017-01-01 - 2019-12-31)

On the project

V rámci projektu dojde k vývoji koncepce pro konstrukci vysokoteplotních MOCVD reaktorů malé a střední velikosti a ověření jejich funkčnosti pro epitaxní růst metal-nitridových vrstev. Navrhovaný projekt se zaměřuje na cílenou optimalizace parametrů reaktoru pro růst kvalitních (nedefektních) vrstev A(III)B(V) polovodičů určených např. pro aplikace v senzorice. Úspěšným vyřešením zadaných cílů se dosáhne jak zvýšení konkurenceschopnosti ČR v oblasti pokročilých materiálů založených na A(III)B(V) polovodičích, ale i k využití nanotechnologií pro výsledné aplikace (senzorika, fotonika, bolometrický jev apod.). Využití nanomateriálů a nanotechnologií je podpořeno zapojení silného partnera v oblasti VaV - VUT Brno a infrastruktury CEITEC.

Description in English
- development of MOCVD epitaxial growth apparatus for A(III)B(V) layers on substrates up to 100 mm diameter - testing of MOCVD epitaxial growth of indium-nitride layers using the existing "low temperature" MOCVD apparatus in CEITEC-VUT substrates up to 100 mm diameter - high-temperature MOCVD reactor design optimization based on specific metal-nitride layers growth(GaN, AlN, InN) to - development of applications in the field of optical structures and sensors - development of MOCVD epitaxial growth apparatus for A(III)B(V) layers on substrates up to 250 mm diameter - optimization of the MOCVD reactor design based on A(III)B(V) epitaxial layers growth with the substrates diameter up to 250 mm

Keywords
MOCVD technologie; epitaxní růst vrstev; fluidně dynamické modelování; polovodičová výroba; senzorika; GaN; AlN; InN

Key words in English
MOCVD technology, epitaxial growth, fluid-dynamic modelling, semiconductor processing, senzory application, GaN, AlN, InN

Mark

TH02020926

Default language

Czech

People responsible

Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - fellow researcher
Hubálek Jaromír, prof. Ing., Ph.D. - principal person responsible

Units

Smart Nanodevices
- beneficiary (2017-01-01 - not assigned)

Results

HUBÁLEK, J.; ŠIK, O.; MÜNZ, F.; VOBORNÝ, S.; GABLECH, I.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, Veveří, CZ: Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření. 33879, užitný vzor. (2020)
Detail

ŠIK, O.; VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; HUBÁLEK, J.: GaN MOCVD; Epitaxní vrstva GaN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=141. (funkční vzorek)
Detail

VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; KOLÍBAL, M.: GaN-Ag; Metal-nitridová vrstva s plazmonickou optickou strukturou. Laboratoř povrchů a tenkých vrstev, Technická 2, A2-518. URL: http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2019-gan/. (funkční vzorek)
Detail

ŠIK, O.; MÜNZ, F.; VOBORNÝ, S.; HUBÁLEK, J.: InN MOCVD; Epitaxní vrstva InN nadeponovaná nízkoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=140. (funkční vzorek)
Detail

ŠIK, O.; VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; HUBÁLEK, J.: GaN MOCVD; Epitaxní vrstva AlN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=142. (funkční vzorek)
Detail

Responsibility: Hubálek Jaromír, prof. Ing., Ph.D.