Tento projekt byl spolufinancován se státní podporou Technologické agentury ČR v rámci Programu na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)
www.tacr.cz
Výzkum užitečný pro společnost.

Detail projektu

Výzkum a vývoj vysokonapěťových Si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů

Období řešení: 01.01.2018 — 31.12.2020

Zdroje financování

Technologická agentura ČR - Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)

- plně financující (2017-12-20 - 2020-12-31)

O projektu

Popis anglicky
The aim of the project is to create a portfolio of high voltage (> 600V) silicon diodes for High Performance Power Conversion (HPPC) and Motor Control (MC) applications in the automotive, renewable energy and power grids sectors. The devices are used for efficient conversion of high current powers. The use of new manufacturing technology with the application of developed solutions will take place immediately after the achievement of planned results - in 2021.

Klíčová slova anglicky
Semiconductor, Silicon, Rectifier, power, voltage, current, EV

Označení

TH03010006

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Bábor Petr, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Bartošík Miroslav, doc. Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Potoček Michal, Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Procházka Pavel, Ing., Ph.D. - spoluřešitel

Útvary

Příprava a charakterizace nanostruktur
- příjemce (15.05.2017 - nezadáno)

Výsledky

BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; KOLÍBAL, M.; ŠIK, O.: Metody kvantitativní analýzy dopantů a vysokonapěťová diagnostika čipů; Metody kvantitativní analýzy dopantů a vysokonapěťová diagnostika čipů. Purkyňova 123, Brno 61200, budova C, laboratore cistych prostor. URL: http://nano.ceitec.cz/. (ostatní)
Detail

Odpovědnost: Bábor Petr, doc. Ing., Ph.D.