Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
prof. Ing. et Ing.
Ph.D. et Ph.D.
FEEC, UMEL – Professor
+420 54114 6128khateb@vut.cz
Send BUT message
2018
patentKHATEB, F.; VLASSIS, S.; KULEJ, T.; SOULIOTIS, G.; VUT v Brně.: Bulk-driven napěťový atenuátor. 307308, patent. (2018)Detail
2016
patentKHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový bulk-driven kruhový zesilovač pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 306418, patent. (2016)Detail
patentKHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím. 306242, patent. (2016)Detail
užitný vzorKHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový bulk-driven kruhový zesilovač pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 29339, užitný vzor. (2016)Detail
užitný vzorKHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím. 29053, užitný vzor. (2016)Detail
2014
patentKHATEB, F.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 304766, patent. (2014)Detail
2013
patentKHATEB, F.; KHATIB, N.; Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ: Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody. 303698, patent. (2013)Detail
2011
užitný vzorKHATEB, F.; KHATIB, N.; Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ: Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody. 23091, užitný vzor. Brno (2011)Detail